Silicon epitaxy on H-terminated Si (100) surfaces at 250°C: Fid-Bau Portal

Silicon epitaxy on H-terminated Si (100) surfaces at 250°C

Deng, X. / Namboodiri, P. / Li, K. / Wang, X. / Stan, G. / Myers, A. F. / Cheng, X. / Li, T. / Silver, R. M.

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Titel:

Silicon epitaxy on H-terminated Si (100) surfaces at 250°C

Beteiligte:

Deng, X. (Autor:in) / Namboodiri, P. (Autor:in) / Li, K. (Autor:in) / Wang, X. (Autor:in) / Stan, G. (Autor:in) / Myers, A. F. (Autor:in) / Cheng, X. (Autor:in) / Li, T. (Autor:in) / Silver, R. M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 378 ; 301-307

Erscheinungsdatum:

01.01.2016

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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