Microstructure and electrical properties of thin HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition: Fid-Bau Portal

Microstructure and electrical properties of thin HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition

Chesnokov, Y. M. / Miakonkikh, A. V. / Rogozhin, A. E. / Rudenko, K. V. / Vasiliev, A. L.

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Titel:

Microstructure and electrical properties of thin HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition

Beteiligte:

Chesnokov, Y. M. (Autor:in) / Miakonkikh, A. V. (Autor:in) / Rogozhin, A. E. (Autor:in) / Rudenko, K. V. (Autor:in) / Vasiliev, A. L. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 53 ; 7214-7223

Erscheinungsdatum:

01.01.2018

Format / Umfang:

10 pages

ISSN:

0022-2461

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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