Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Trends of structural and electrical properties in atomic layer deposited HfO2 films

    Neue Suche nach: Scarel, G.
    Neue Suche nach: Spiga, S.
    Neue Suche nach: Wiemer, C.
    Neue Suche nach: Tallarida, G.
    Neue Suche nach: Ferrari, S.
    Neue Suche nach: Fanciulli, M.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Trends of structural and electrical properties in atomic layer deposited HfO2 films

    Neue Suche nach: Scarel, G.
    Neue Suche nach: Spiga, S.
    Neue Suche nach: Wiemer, C.
    Neue Suche nach: Tallarida, G.
    Neue Suche nach: Ferrari, S.
    Neue Suche nach: Fanciulli, M.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Trends of structural and electrical properties in atomic layer deposited HfO2 films

    Neue Suche nach: Scarel, G.
    Neue Suche nach: Spiga, S.
    Neue Suche nach: Wiemer, C.
    Neue Suche nach: Tallarida, G.
    Neue Suche nach: Ferrari, S.
    Neue Suche nach: Fanciulli, M.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Trends of structural and electrical properties in atomic layer deposited HfO2 films

    Beteiligte:

    Scarel, G. (Autor:in) / Spiga, S. (Autor:in) / Wiemer, C. (Autor:in) / Tallarida, G. (Autor:in) / Ferrari, S. (Autor:in) / Fanciulli, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 109 ; 11-16

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2004

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Microstructure and electrical properties of thin HfO2 deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition

    Chesnokov, Y. M. / Miakonkikh, A. V. / Rogozhin, A. E. et al. | British Library Online Contents | 2018

    Interfacial and electrical properties of Al2O3/HfO2 bilayer deposited by atomic layer deposition on GeON passivated germanium surface

    Patil, V.S. / Agrawal, K.S. / Khairnar, A.G. et al. | British Library Online Contents | 2017

    Interfacial and electrical properties of Al2O3/HfO2 bilayer deposited by atomic layer deposition on GeON passivated germanium surface

    Patil, V.S. / Agrawal, K.S. / Khairnar, A.G. et al. | British Library Online Contents | 2017

    Growth, microstructure and electrical properties of sputter-deposited hafnium oxide (HfO2) thin films grown using a HfO2 ceramic target

    Aguirre, B. / Vemuri, R. S. / Zubia, D. et al. | British Library Online Contents | 2011

    Electrical and physicochemical properties of atomic-layer-deposited HfO2 film on Si substrate with interfacial layer grown by nitric acid oxidation

    Kim, Seung Hyun / Seok, Tae Jun / Jin, Hyun Soo et al. | British Library Online Contents | 2016

    Nach oben