Microstructure and electrical properties of nitrogen doped 3C–SiC thin films deposited using methyltrichlorosilane: Fid-Bau Portal

Microstructure and electrical properties of nitrogen doped 3C–SiC thin films deposited using methyltrichlorosilane

Latha, H.K.E. / Udayakumar, A. / Prasad, V. Siddeswara

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Titel:

Microstructure and electrical properties of nitrogen doped 3C–SiC thin films deposited using methyltrichlorosilane

Beteiligte:

Latha, H.K.E. (Autor:in) / Udayakumar, A. (Autor:in) / Prasad, V. Siddeswara (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 29 ; 117-123

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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