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    Titel:

    Energy-band alignment of (HfO2)x(Al2O3)1-x gate dielectrics deposited by atomic layer deposition on β-Ga2O3 (-201)

    Beteiligte:

    Yuan, Lei (Autor:in) / Zhang, Hongpeng (Autor:in) / Jia, Renxu (Autor:in) / Guo, Lixin (Autor:in) / Zhang, Yimen (Autor:in) / Zhang, Yuming (Autor:in)

    Erschienen in:

    Applied surface science ; 433 ; 530-534

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2018

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.44

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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