Characterization of interface states in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 gate dielectric grown by atomic layer deposition: Fid-Bau Portal

Characterization of interface states in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 gate dielectric grown by atomic layer deposition

Stoklas, R. / Gregušová, D. / Hasenöhrl, S. / Brytavskyi, E. / Ťapajna, M. / Fröhlich, K. / Haščík, Š. / Gregor, M. / Kuzmík, J.

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Titel:

Characterization of interface states in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 gate dielectric grown by atomic layer deposition

Beteiligte:

Stoklas, R. (Autor:in) / Gregušová, D. (Autor:in) / Hasenöhrl, S. (Autor:in) / Brytavskyi, E. (Autor:in) / Ťapajna, M. (Autor:in) / Fröhlich, K. (Autor:in) / Haščík, Š. (Autor:in) / Gregor, M. (Autor:in) / Kuzmík, J. (Autor:in)

Erschienen in:

Applied surface science ; 461 ; 255-259

Erscheinungsdatum:

01.01.2018

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.44

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