Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
POROUS SILICON CARBIDE SINTERED BODY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
To provide a porous silicon carbide sintered body that has an excellent balance between a pore size or open porosity and hardness, and can be produced at low cost.SOLUTION: The present invention relates to a porous silicon carbide (SiC) sintered body containing aluminum element (Al), where a molar ratio (Al/Si) of the aluminum element (Al) to the silicon element (Si) is between 0.005 and 0.1, an open porosity is between 40 and 80%, and a pore size dis between 0.3 and 20 μm. The above sintered body is produced by mixing silicon particles, carbon particles and aluminum particles and then sintering them at 1300 to 1800°C under inert gas atmosphere.SELECTED DRAWING: Figure 4
【課題】細孔径や開気孔率と、強度とのバランスに優れ、なおかつ低コストで製造することができる多孔質炭化ケイ素焼結体を提供する。【解決手段】アルミニウム元素（Ａｌ）を含む多孔質炭化ケイ素（ＳｉＣ）焼結体であって、ケイ素元素（Ｓｉ）に対するアルミニウム元素（Ａｌ）のモル比（Ａｌ／Ｓｉ）が０．００５〜０．１であり、開気孔率が４０〜８０％であり、かつ細孔径ｄ５０が０．３〜２０μｍである、焼結体とする。また、ケイ素粒子、炭素粒子及びアルミニウム粒子を混合した後、不活性ガス雰囲気下で１３００〜１８００℃にて焼結することにより前記焼結体を製造する。【選択図】図４
POROUS SILICON CARBIDE SINTERED BODY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
To provide a porous silicon carbide sintered body that has an excellent balance between a pore size or open porosity and hardness, and can be produced at low cost.SOLUTION: The present invention relates to a porous silicon carbide (SiC) sintered body containing aluminum element (Al), where a molar ratio (Al/Si) of the aluminum element (Al) to the silicon element (Si) is between 0.005 and 0.1, an open porosity is between 40 and 80%, and a pore size dis between 0.3 and 20 μm. The above sintered body is produced by mixing silicon particles, carbon particles and aluminum particles and then sintering them at 1300 to 1800°C under inert gas atmosphere.SELECTED DRAWING: Figure 4
【課題】細孔径や開気孔率と、強度とのバランスに優れ、なおかつ低コストで製造することができる多孔質炭化ケイ素焼結体を提供する。【解決手段】アルミニウム元素（Ａｌ）を含む多孔質炭化ケイ素（ＳｉＣ）焼結体であって、ケイ素元素（Ｓｉ）に対するアルミニウム元素（Ａｌ）のモル比（Ａｌ／Ｓｉ）が０．００５〜０．１であり、開気孔率が４０〜８０％であり、かつ細孔径ｄ５０が０．３〜２０μｍである、焼結体とする。また、ケイ素粒子、炭素粒子及びアルミニウム粒子を混合した後、不活性ガス雰囲気下で１３００〜１８００℃にて焼結することにより前記焼結体を製造する。【選択図】図４
POROUS SILICON CARBIDE SINTERED BODY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
多孔質炭化ケイ素焼結体及びその製造方法
NISHIKAWA TOMOHIRO (Autor:in) / MAEDA TOMOYUKI (Autor:in) / HOSHIYAMA YASUHIRO (Autor:in) / TAKANAGA SHIGEYUKI (Autor:in)
19.09.2019
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
| Europäisches Patentamt | 2016
| Europäisches Patentamt | 2017
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2024
MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2018
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2024