A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM METHOD OF MANUFACTURING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
[과제] 상대 밀도가 높고, 스퍼터 성막 시의 아크나 파티클의 발생을 억제할 수 있는 투명 도전막 형성용 타깃, 투명 도전막, 투명 도전막 형성용 타깃의 제조 방법 및 투명 도전막의 제조 방법을 제공한다. [해결 수단] In, Sn, Zn, O를 포함하고, Sn/(In＋Sn＋Zn)=7~17at%, Zn/(In＋Sn＋Zn)=0.5~12at%, Sn와 Zn의 원자수비(Sn/Zn)가 1.3 이상이며, 또한 XRD 측정에 따른 InO결정상에 대한 SnInO결정상의 피크 강도비(SnInO/InO)가 0.10 이하이고, 상대 밀도가 97% 이상인 투명 도전막 형성용 타깃이다.
TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM METHOD OF MANUFACTURING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
[과제] 상대 밀도가 높고, 스퍼터 성막 시의 아크나 파티클의 발생을 억제할 수 있는 투명 도전막 형성용 타깃, 투명 도전막, 투명 도전막 형성용 타깃의 제조 방법 및 투명 도전막의 제조 방법을 제공한다. [해결 수단] In, Sn, Zn, O를 포함하고, Sn/(In＋Sn＋Zn)=7~17at%, Zn/(In＋Sn＋Zn)=0.5~12at%, Sn와 Zn의 원자수비(Sn/Zn)가 1.3 이상이며, 또한 XRD 측정에 따른 InO결정상에 대한 SnInO결정상의 피크 강도비(SnInO/InO)가 0.10 이하이고, 상대 밀도가 97% 이상인 투명 도전막 형성용 타깃이다.
TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM METHOD OF MANUFACTURING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
투명 도전막 형성용 타깃, 투명 도전막, 투명 도전막 형성용 타깃의 제조 방법 및 투명 도전막의 제조 방법
2020-03-16
Patent
Electronic Resource
Korean
METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
| European Patent Office | 2017
| European Patent Office | 2018
Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode
| European Patent Office | 2015
| European Patent Office | 2017