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TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM METHOD OF MANUFACTURING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
[과제] 상대 밀도가 높고, 스퍼터 성막 시의 아크나 파티클의 발생을 억제할 수 있는 투명 도전막 형성용 타깃, 투명 도전막, 투명 도전막 형성용 타깃의 제조 방법 및 투명 도전막의 제조 방법을 제공한다. [해결 수단] In, Sn, Zn, O를 포함하고, Sn/(In+Sn+Zn)=7~17at%, Zn/(In+Sn+Zn)=0.5~12at%, Sn와 Zn의 원자수비(Sn/Zn)가 1.3 이상이며, 또한 XRD 측정에 따른 InO결정상에 대한 SnInO결정상의 피크 강도비(SnInO/InO)가 0.10 이하이고, 상대 밀도가 97% 이상인 투명 도전막 형성용 타깃이다.
TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM METHOD OF MANUFACTURING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
[과제] 상대 밀도가 높고, 스퍼터 성막 시의 아크나 파티클의 발생을 억제할 수 있는 투명 도전막 형성용 타깃, 투명 도전막, 투명 도전막 형성용 타깃의 제조 방법 및 투명 도전막의 제조 방법을 제공한다. [해결 수단] In, Sn, Zn, O를 포함하고, Sn/(In+Sn+Zn)=7~17at%, Zn/(In+Sn+Zn)=0.5~12at%, Sn와 Zn의 원자수비(Sn/Zn)가 1.3 이상이며, 또한 XRD 측정에 따른 InO결정상에 대한 SnInO결정상의 피크 강도비(SnInO/InO)가 0.10 이하이고, 상대 밀도가 97% 이상인 투명 도전막 형성용 타깃이다.
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투명 도전막 형성용 타깃, 투명 도전막, 투명 도전막 형성용 타깃의 제조 방법 및 투명 도전막의 제조 방법
2020-03-16
Patent
Electronic Resource
Korean
METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
European Patent Office | 2017
|European Patent Office | 2018
|Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode
European Patent Office | 2015
|European Patent Office | 2017
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