Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
3D memory devices and fabricating methods are disclosed. The method can comprise: forming an alternating dielectric stack on a substrate (S101); forming a channel hole penetrating the insulating connection layer and the alternating dielectric stack (S102); forming an epitaxial layer on a bottom of the channel hole (S103); forming a functional layer to cover the sidewall of the channel hole and the top surface of the epitaxial layer (S104), forming a protecting layer covering the functional layer (S105); removing portions of the functional layer and the protecting layer on the bottom of the channel hole to form a recess that exposes the epitaxial layer (S106); expanding the recess in a lateral direction to expose a larger surface of the epitaxial layer (S107); removing the protecting layer (S108); forming a channel structure to cover the functional layer and exposed surface of the epitaxial layer (S109); transform the alternating dielectric stack to an alternating conductor/dielectric stack (S110).
L'invention concerne des dispositifs de mémoire 3D et leurs procédés de fabrication. Le procédé peut consister à : former une pile diélectrique alternée sur un substrat (S101); former un trou de canal pénétrant dans la couche de connexion isolante et la pile diélectrique alternée (S102); former une couche épitaxiale sur un fond du trou de canal (S103); former une couche fonctionnelle pour recouvrir la paroi latérale du trou de canal et la surface supérieure de la couche épitaxiale (S104); former une couche de protection recouvrant la couche fonctionnelle (S105); retirer des parties de la couche fonctionnelle et de la couche de protection sur le fond du trou de canal pour former un évidement qui expose la couche épitaxiale (S106); étendre l'évidement dans une direction latérale pour exposer une plus grande surface de la couche épitaxiale (S107); retirer la couche de protection (S108); former une structure de canal pour recouvrir la couche fonctionnelle et la surface exposée de la couche épitaxiale (S109); transformer la pile diélectrique alternée en une pile conducteur/diélectrique alternée (S110).
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
3D memory devices and fabricating methods are disclosed. The method can comprise: forming an alternating dielectric stack on a substrate (S101); forming a channel hole penetrating the insulating connection layer and the alternating dielectric stack (S102); forming an epitaxial layer on a bottom of the channel hole (S103); forming a functional layer to cover the sidewall of the channel hole and the top surface of the epitaxial layer (S104), forming a protecting layer covering the functional layer (S105); removing portions of the functional layer and the protecting layer on the bottom of the channel hole to form a recess that exposes the epitaxial layer (S106); expanding the recess in a lateral direction to expose a larger surface of the epitaxial layer (S107); removing the protecting layer (S108); forming a channel structure to cover the functional layer and exposed surface of the epitaxial layer (S109); transform the alternating dielectric stack to an alternating conductor/dielectric stack (S110).
L'invention concerne des dispositifs de mémoire 3D et leurs procédés de fabrication. Le procédé peut consister à : former une pile diélectrique alternée sur un substrat (S101); former un trou de canal pénétrant dans la couche de connexion isolante et la pile diélectrique alternée (S102); former une couche épitaxiale sur un fond du trou de canal (S103); former une couche fonctionnelle pour recouvrir la paroi latérale du trou de canal et la surface supérieure de la couche épitaxiale (S104); former une couche de protection recouvrant la couche fonctionnelle (S105); retirer des parties de la couche fonctionnelle et de la couche de protection sur le fond du trou de canal pour former un évidement qui expose la couche épitaxiale (S106); étendre l'évidement dans une direction latérale pour exposer une plus grande surface de la couche épitaxiale (S107); retirer la couche de protection (S108); former une structure de canal pour recouvrir la couche fonctionnelle et la surface exposée de la couche épitaxiale (S109); transformer la pile diélectrique alternée en une pile conducteur/diélectrique alternée (S110).
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
HU YUSHI (Autor:in) / TAO QIAN (Autor:in) / YANG HAOHAO (Autor:in) / DONG JIN WEN (Autor:in) / CHEN JUN (Autor:in) / LU ZHENYU (Autor:in)
16.05.2019
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2019
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020