Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
MULTIPLE-STACK THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
Methods and structures of a three-dimensional memory device are disclosed. In an example, the memory device includes a substrate and a multiple-stack staircase structure. The multiple-stack staircase structure can include a plurality of staircase structures stacked over the substrate. Each one of the plurality of staircase structures can include a plurality of conductor layers each between two insulating layers. The memory device can also include a filling structure over the multiple-stack staircase structure, a semiconductor channel extending through the multiple-stack staircase structure, and a supporting pillar extending through the multiple-stack staircase structure and the filling structure. The semiconductor channel can include unaligned sidewall surfaces, and the supporting pillar can include aligned sidewall surfaces.
La présente invention concerne des procédés et des structures d'un dispositif de mémoire tridimensionnel. Dans un exemple, le dispositif de mémoire comprend un substrat et une structure en escalier à piles multiples. La structure en escalier à piles multiples peut comprendre une pluralité de structures en escalier empilées sur le substrat. Chacune de la pluralité de structures en escalier peut comprendre une pluralité de couches conductrices, chacune située entre deux couches isolantes. Le dispositif de mémoire peut également comprendre une structure de remplissage sur la structure en escalier à piles multiples, un canal à semiconducteur s'étendant à travers la structure en escalier à piles multiples, et un pilier de support s'étendant à travers la structure en escalier à piles multiples et la structure de remplissage. Le canal semiconducteur peut comprendre des surfaces de parois latérales non alignées, et le pilier de support peut comprendre des surfaces de parois latérales alignées.
MULTIPLE-STACK THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
Methods and structures of a three-dimensional memory device are disclosed. In an example, the memory device includes a substrate and a multiple-stack staircase structure. The multiple-stack staircase structure can include a plurality of staircase structures stacked over the substrate. Each one of the plurality of staircase structures can include a plurality of conductor layers each between two insulating layers. The memory device can also include a filling structure over the multiple-stack staircase structure, a semiconductor channel extending through the multiple-stack staircase structure, and a supporting pillar extending through the multiple-stack staircase structure and the filling structure. The semiconductor channel can include unaligned sidewall surfaces, and the supporting pillar can include aligned sidewall surfaces.
La présente invention concerne des procédés et des structures d'un dispositif de mémoire tridimensionnel. Dans un exemple, le dispositif de mémoire comprend un substrat et une structure en escalier à piles multiples. La structure en escalier à piles multiples peut comprendre une pluralité de structures en escalier empilées sur le substrat. Chacune de la pluralité de structures en escalier peut comprendre une pluralité de couches conductrices, chacune située entre deux couches isolantes. Le dispositif de mémoire peut également comprendre une structure de remplissage sur la structure en escalier à piles multiples, un canal à semiconducteur s'étendant à travers la structure en escalier à piles multiples, et un pilier de support s'étendant à travers la structure en escalier à piles multiples et la structure de remplissage. Le canal semiconducteur peut comprendre des surfaces de parois latérales non alignées, et le pilier de support peut comprendre des surfaces de parois latérales alignées.
MULTIPLE-STACK THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL À PILES MULTIPLES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
LIU JUN (Autor:in) / HUO ZONGLIANG (Autor:in) / XIAO LIHONG (Autor:in) / LU ZHENYU (Autor:in) / TAO QIAN (Autor:in) / HU YUSHI (Autor:in) / LI SIZHE (Autor:in) / TANG ZHAOHUI (Autor:in) / ZHOU YUTING (Autor:in) / LI ZHAOSONG (Autor:in)
30.01.2020
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020