Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
Three-dimensional (3D) NAND memory devices and methods are provided. In one aspect, a fabrication method includes forming a layer stack, a channel hole, a blocking layer, a charge trap layer, a tunnel insulation layer, and a channel layer. The surface region of the charge trap layer includes a carbon region that contains a certain amount of carbon elements.
L'invention concerne des dispositifs de mémoire NON-ET tridimensionnels (3D) et des procédés associés. Selon un aspect, un procédé de fabrication comprend la formation d'un empilement de couches, d'une cavité de canal, d'une couche de blocage, d'une couche de piégeage de charge, d'une couche d'isolation tunnel et d'une couche de canal. La région de surface de la couche de piégeage de charge comprend une région de carbone qui contient une certaine quantité d'éléments de carbone.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
Three-dimensional (3D) NAND memory devices and methods are provided. In one aspect, a fabrication method includes forming a layer stack, a channel hole, a blocking layer, a charge trap layer, a tunnel insulation layer, and a channel layer. The surface region of the charge trap layer includes a carbon region that contains a certain amount of carbon elements.
L'invention concerne des dispositifs de mémoire NON-ET tridimensionnels (3D) et des procédés associés. Selon un aspect, un procédé de fabrication comprend la formation d'un empilement de couches, d'une cavité de canal, d'une couche de blocage, d'une couche de piégeage de charge, d'une couche d'isolation tunnel et d'une couche de canal. La région de surface de la couche de piégeage de charge comprend une région de carbone qui contient une certaine quantité d'éléments de carbone.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
WANG QIGUANG (Autor:in) / PU HAO (Autor:in) / LI TUO (Autor:in) / ZHAO YINGJIE (Autor:in)
11.05.2023
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
MULTIPLE-STACK THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
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| Europäisches Patentamt | 2020
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| Europäisches Patentamt | 2020
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| Europäisches Patentamt | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020