Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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MULTI-DECK THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
Embodiments of three-dimensional (3D) memory devices and methods for forming the 3D memory devices are disclosed. In an example, a 3D memory device includes a substrate, a first memory deck above the substrate, a first channel structure, a first inter-deck plug above and in contact with the first channel structure, a second memory deck above the first inter-deck plug, and a second channel structure above and in contact with the first inter-deck plug. The first memory deck includes a first plurality of interleaved conductor layers and dielectric layers. The first channel structure extends vertically through the first memory deck. The first inter-deck plug includes single-crystal silicon. The second memory deck includes a second plurality of interleaved conductor layers and dielectric layers. The second channel structure extends vertically through the second memory deck.
L'invention concerne des modes de réalisation de dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D) et des procédés de formation des dispositifs de mémoire 3D. Dans un exemple, un dispositif de mémoire 3D comprend un substrat, un premier étage de mémoire au-dessus du substrat, une première structure de canal, une première fiche inter-étage au-dessus et en contact avec la première structure de canal, un second étage de mémoire au-dessus de la première fiche inter-étage, et une seconde structure de canal au-dessus et en contact avec la première fiche inter-étage. Le premier étage de mémoire comprend une première pluralité de couches conductrices entrelacées et de couches diélectriques. La première structure de canal s'étend verticalement à travers le premier étage de mémoire. La première fiche inter-étage comprend du silicium monocristallin. Le second étage de mémoire comprend une seconde pluralité de couches conductrices entrelacées et de couches diélectriques. La seconde structure de canal s'étend verticalement à travers le second étage de mémoire.
MULTI-DECK THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
Embodiments of three-dimensional (3D) memory devices and methods for forming the 3D memory devices are disclosed. In an example, a 3D memory device includes a substrate, a first memory deck above the substrate, a first channel structure, a first inter-deck plug above and in contact with the first channel structure, a second memory deck above the first inter-deck plug, and a second channel structure above and in contact with the first inter-deck plug. The first memory deck includes a first plurality of interleaved conductor layers and dielectric layers. The first channel structure extends vertically through the first memory deck. The first inter-deck plug includes single-crystal silicon. The second memory deck includes a second plurality of interleaved conductor layers and dielectric layers. The second channel structure extends vertically through the second memory deck.
L'invention concerne des modes de réalisation de dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D) et des procédés de formation des dispositifs de mémoire 3D. Dans un exemple, un dispositif de mémoire 3D comprend un substrat, un premier étage de mémoire au-dessus du substrat, une première structure de canal, une première fiche inter-étage au-dessus et en contact avec la première structure de canal, un second étage de mémoire au-dessus de la première fiche inter-étage, et une seconde structure de canal au-dessus et en contact avec la première fiche inter-étage. Le premier étage de mémoire comprend une première pluralité de couches conductrices entrelacées et de couches diélectriques. La première structure de canal s'étend verticalement à travers le premier étage de mémoire. La première fiche inter-étage comprend du silicium monocristallin. Le second étage de mémoire comprend une seconde pluralité de couches conductrices entrelacées et de couches diélectriques. La seconde structure de canal s'étend verticalement à travers le second étage de mémoire.
MULTI-DECK THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS MULTI-ÉTAGE ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
XIAO LI HONG (Autor:in)
25.06.2020
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| Europäisches Patentamt | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| Europäisches Patentamt | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES, SYSTEMS, AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| Europäisches Patentamt | 2024