A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition art to deposit an oxide semiconductor film; and provide a method of manufacturing a highly reliable semiconductor element using the oxide semiconductor film.SOLUTION: In a semiconductor device manufacturing method, when a novel sputtering target obtained by removing alkali metal, alkali earth metal and hydrogen which are impurities in the sputtering target used for deposition is used, an oxide semiconductor film with less content of the impurities can be deposited.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。また、その酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする。【解決手段】成膜に用いるスパッタリングターゲットの中の不純物であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、及び水素を排除することにより得られる新規なスパッタリングターゲットを用いれば、これらの不純物の含有量の少ない酸化物半導体膜を成膜することができる。【選択図】図１
SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition art to deposit an oxide semiconductor film; and provide a method of manufacturing a highly reliable semiconductor element using the oxide semiconductor film.SOLUTION: In a semiconductor device manufacturing method, when a novel sputtering target obtained by removing alkali metal, alkali earth metal and hydrogen which are impurities in the sputtering target used for deposition is used, an oxide semiconductor film with less content of the impurities can be deposited.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。また、その酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする。【解決手段】成膜に用いるスパッタリングターゲットの中の不純物であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、及び水素を排除することにより得られる新規なスパッタリングターゲットを用いれば、これらの不純物の含有量の少ない酸化物半導体膜を成膜することができる。【選択図】図１
SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
半導体装置の作製方法
YAMAZAKI SHUNPEI (author)
2017-06-08
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2025
SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
| European Patent Office | 2023
| European Patent Office | 2021