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MANUFACTURING METHOD OF SILICON NITRIDE CERAMIC AGGREGATE SUBSTRATE
To provide a manufacturing method of silicon nitride ceramic aggregate substrate in which cracks, chips and burrs are inhibited at a corner.SOLUTION: In a method for manufacturing a silicon nitride ceramic aggregate substrate of a prescribed size from a rectangular silicon nitride ceramic sintered substrate, a continuous groove-like side breaking line consisting of scribe holes, corresponding to the four sides of the silicon nitride ceramic aggregate substrate, is formed at the outer edge of the silicon nitride ceramic sintered substrate, a slit angle breaking line intersecting with both adjoining side breaking lines is formed in the vicinity of intersection of the adjoining side breaking lines, the silicon nitride ceramic sintered substrate is broken along the side breaking line and divided into the silicon nitride ceramic aggregate substrate and a side margin part and an angle margin part, and the surface of a portion corresponding to the silicon nitride ceramic aggregate substrate is cleaned.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】 角部での亀裂や割れ、欠け、バリを抑制した窒化珪素系セラミックス集合基板の製造方法を提供する。【解決手段】 矩形状の窒化珪素系セラミックス焼結基板から所定のサイズの窒化珪素系セラミックス集合基板を製造する方法において、前記窒化珪素系セラミックス焼結基板の外縁部に、前記窒化珪素系セラミックス集合基板の四辺に対応する、スクライブ孔からなる連続溝状の辺ブレークラインを形成するとともに、隣接する辺ブレークラインの交点近傍に前記隣接する辺ブレークラインの両方と交差するスリット状の角ブレークラインを形成し、窒化珪素系セラミックス焼結基板を辺ブレークラインに沿って折ることにより、窒化珪素系セラミックス集合基板と辺マージン部及び角マージン部とに分割し、前記窒化珪素系セラミックス集合基板に相当する部分の表面をクリーニングする方法。【選択図】 図１
MANUFACTURING METHOD OF SILICON NITRIDE CERAMIC AGGREGATE SUBSTRATE
To provide a manufacturing method of silicon nitride ceramic aggregate substrate in which cracks, chips and burrs are inhibited at a corner.SOLUTION: In a method for manufacturing a silicon nitride ceramic aggregate substrate of a prescribed size from a rectangular silicon nitride ceramic sintered substrate, a continuous groove-like side breaking line consisting of scribe holes, corresponding to the four sides of the silicon nitride ceramic aggregate substrate, is formed at the outer edge of the silicon nitride ceramic sintered substrate, a slit angle breaking line intersecting with both adjoining side breaking lines is formed in the vicinity of intersection of the adjoining side breaking lines, the silicon nitride ceramic sintered substrate is broken along the side breaking line and divided into the silicon nitride ceramic aggregate substrate and a side margin part and an angle margin part, and the surface of a portion corresponding to the silicon nitride ceramic aggregate substrate is cleaned.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】 角部での亀裂や割れ、欠け、バリを抑制した窒化珪素系セラミックス集合基板の製造方法を提供する。【解決手段】 矩形状の窒化珪素系セラミックス焼結基板から所定のサイズの窒化珪素系セラミックス集合基板を製造する方法において、前記窒化珪素系セラミックス焼結基板の外縁部に、前記窒化珪素系セラミックス集合基板の四辺に対応する、スクライブ孔からなる連続溝状の辺ブレークラインを形成するとともに、隣接する辺ブレークラインの交点近傍に前記隣接する辺ブレークラインの両方と交差するスリット状の角ブレークラインを形成し、窒化珪素系セラミックス焼結基板を辺ブレークラインに沿って折ることにより、窒化珪素系セラミックス集合基板と辺マージン部及び角マージン部とに分割し、前記窒化珪素系セラミックス集合基板に相当する部分の表面をクリーニングする方法。【選択図】 図１
MANUFACTURING METHOD OF SILICON NITRIDE CERAMIC AGGREGATE SUBSTRATE
窒化珪素系セラミックス集合基板の製造方法
YOSHIOKA NOBUAKI (author) / SASAKI ATSUSHI (author) / TEJIMA HIROYUKI (author)
2020-12-17
Patent
Electronic Resource
Japanese
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