A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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HANDLE SUBSTRATE FOR COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
핸들 기판(1)은 투광성 세라믹으로 이루어진다. 핸들 기판(1)의 접합면(1a)측의 표면 영역(2A)에 포함되는 크기 0.5∼3.0 ㎛의 기공의 평균 밀도가 50 개/㎟ 이하이다. 핸들 기판(1) 내에 크기 0.5∼3.0 ㎛의 기공의 평균 밀도가 100 개/㎟ 이상인 영역(3)이 형성되어 있다. 투광성 세라믹의 평균 입경이 5∼60 ㎛이다.
HANDLE SUBSTRATE FOR COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
핸들 기판(1)은 투광성 세라믹으로 이루어진다. 핸들 기판(1)의 접합면(1a)측의 표면 영역(2A)에 포함되는 크기 0.5∼3.0 ㎛의 기공의 평균 밀도가 50 개/㎟ 이하이다. 핸들 기판(1) 내에 크기 0.5∼3.0 ㎛의 기공의 평균 밀도가 100 개/㎟ 이상인 영역(3)이 형성되어 있다. 투광성 세라믹의 평균 입경이 5∼60 ㎛이다.
HANDLE SUBSTRATE OF COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
| European Patent Office | 2015
HANDLE SUBSTRATE FOR COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
| European Patent Office | 2019
HANDLE SUBSTRATE FOR COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
| European Patent Office | 2017
HANDLE SUBSTRATE FOR COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
| European Patent Office | 2015
Handle substrate of composite substrate for semiconductor
| European Patent Office | 2015