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HANDLE SUBSTRATE OF COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
The alumina purity of the transparent polycrystalline alumina constituting the handle substrate is 99.9% or more, and the porosity of the transparent polycrystalline alumina is 0.01-0.1%. The number of pores having a size of 0.5 μm or more contained in the surface region of the joining face side of the handle substrate is 0.5 or less than the number of pores having a size of 0.1-0.3 μm contained in the surface region.
La pureté d'alumine de l'alumine polycristalline transparente constituant le substrat de manipulation est de 99,9 % ou plus, et la porosité de l'alumine polycristalline transparente est de 0,01-0,1 %. Le nombre de pores ayant une taille de 0,5 µm ou plus contenus dans la région de surface du côté de face d'assemblage du substrat de manipulation est de 0,5 fois ou moins le nombre de pores ayant une taille de 0,1-0,3 μm contenus dans la région de surface.
ハンドル基板を構成する透光性多結晶アルミナのアルミナ純度が９９．９％以上であり、透光性多結晶アルミナの気孔率が０．０１％以上、０．１％以下である。ハンドル基板の接合面側の表面領域に含まれる大きさ０．５μｍ以上の気孔数が表面領域に含まれる大きさ０．１μｍ以上、０．３μｍ以下の気孔数の０．５倍以下である。
HANDLE SUBSTRATE OF COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
The alumina purity of the transparent polycrystalline alumina constituting the handle substrate is 99.9% or more, and the porosity of the transparent polycrystalline alumina is 0.01-0.1%. The number of pores having a size of 0.5 μm or more contained in the surface region of the joining face side of the handle substrate is 0.5 or less than the number of pores having a size of 0.1-0.3 μm contained in the surface region.
La pureté d'alumine de l'alumine polycristalline transparente constituant le substrat de manipulation est de 99,9 % ou plus, et la porosité de l'alumine polycristalline transparente est de 0,01-0,1 %. Le nombre de pores ayant une taille de 0,5 µm ou plus contenus dans la région de surface du côté de face d'assemblage du substrat de manipulation est de 0,5 fois ou moins le nombre de pores ayant une taille de 0,1-0,3 μm contenus dans la région de surface.
ハンドル基板を構成する透光性多結晶アルミナのアルミナ純度が９９．９％以上であり、透光性多結晶アルミナの気孔率が０．０１％以上、０．１％以下である。ハンドル基板の接合面側の表面領域に含まれる大きさ０．５μｍ以上の気孔数が表面領域に含まれる大きさ０．１μｍ以上、０．３μｍ以下の気孔数の０．５倍以下である。
HANDLE SUBSTRATE OF COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
SUBSTRAT DE MANIPULATION DE SUBSTRAT COMPOSITE POUR SEMI-CONDUCTEUR
半導体用複合基板のハンドル基板
MIYAZAWA SUGIO (author) / IWASAKI YASUNORI (author) / TAKAGAKI TATSURO (author) / IDE AKIYOSHI (author) / NAKANISHI HIROKAZU (author)
2015-09-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
Handle substrate of composite substrate for semiconductor
| European Patent Office | 2015
HANDLE SUBSTRATE FOR COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
| European Patent Office | 2019
HANDLE SUBSTRATE FOR COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
European Patent Office | 2015
HANDLE SUBSTRATE FOR COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
| European Patent Office | 2017
HANDLE SUBSTRATE FOR COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
| European Patent Office | 2015