A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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METHOD OF MANUFACTURING OXIDE CERAMIC CIRCUIT BOARD AND OXIDE CERAMIC CIRCUIT BOARD
산화물계 세라믹스 기판 상에 동판을 배치하여 적층체를 형성하는 공정과, 얻어진 적층체를 가열하는 공정에 의해, 산화물계 세라믹스 기판과 동판을 일체로 접합하는 산화물계 세라믹스 회로 기판의 접합 방법에 있어서, 상기 가열하는 공정은, 1065 내지 1085℃의 사이에 가열 온도의 극대값을 갖는 제1 가열 영역에서 적층체를 가열하는 공정과, 다음에 1000 내지 1050℃의 사이에 가열 온도의 극소값을 갖는 제2 가열 영역에서 적층체를 가열하는 공정과, 또한 1065 내지 1120℃의 사이에 가열 온도의 극대값을 갖는 제3 가열 영역에서 적층체를 가열하여 접합체를 형성하는 공정을 가지며, 그 후 접합체를 냉각 영역에서 냉각하는 것을 특징으로 한다. 상기 구성에 따르면, 내열 사이클(TCT) 특성이 우수한 산화물계 세라믹스 회로 기판이 얻어진다.
METHOD OF MANUFACTURING OXIDE CERAMIC CIRCUIT BOARD AND OXIDE CERAMIC CIRCUIT BOARD
산화물계 세라믹스 기판 상에 동판을 배치하여 적층체를 형성하는 공정과, 얻어진 적층체를 가열하는 공정에 의해, 산화물계 세라믹스 기판과 동판을 일체로 접합하는 산화물계 세라믹스 회로 기판의 접합 방법에 있어서, 상기 가열하는 공정은, 1065 내지 1085℃의 사이에 가열 온도의 극대값을 갖는 제1 가열 영역에서 적층체를 가열하는 공정과, 다음에 1000 내지 1050℃의 사이에 가열 온도의 극소값을 갖는 제2 가열 영역에서 적층체를 가열하는 공정과, 또한 1065 내지 1120℃의 사이에 가열 온도의 극대값을 갖는 제3 가열 영역에서 적층체를 가열하여 접합체를 형성하는 공정을 가지며, 그 후 접합체를 냉각 영역에서 냉각하는 것을 특징으로 한다. 상기 구성에 따르면, 내열 사이클(TCT) 특성이 우수한 산화물계 세라믹스 회로 기판이 얻어진다.
METHOD OF MANUFACTURING OXIDE CERAMIC CIRCUIT BOARD AND OXIDE CERAMIC CIRCUIT BOARD
산화물계 세라믹스 회로 기판의 제조 방법 및 산화물계 세라믹스 회로 기판
2015-08-27
Patent
Electronic Resource
Korean
| European Patent Office | 2022
| European Patent Office | 2020
CERAMIC CIRCUIT BOARD ASSEMBLY AND CERAMIC CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD
| European Patent Office | 2016
CERAMIC CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING CERAMIC CIRCUIT BOARD
| European Patent Office | 2017
MATERIAL FOR CERAMIC CIRCUIT BOARD AND MANUFACTURING METHOD OF CERAMIC CIRCUIT BOARD
| European Patent Office | 2016