A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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OXIDE SINTERED COMPACT OXIDE SPUTTERING TARGET CONDUCTIVE OXIDE THIN FILM HAVING HIGH REFRACTIVE INDEX AND METHOD FOR PRODUCING THE OXIDE SINTERED COMPACT
인듐 (In), 및 티탄 (Ti) 또는 크롬 (Cr), 및 아연 (Zn) 또는 주석 (Sn) 및 산소 (O) 로 이루어지고, In 을 InO환산으로 2 ∼ 65 ㏖％ 함유하고, Ti 또는 Cr 을 각각 TiO환산 또는 CrO환산으로 2 ∼ 65 ㏖％ 함유하고, In 의 원자비를 A (at％), Ti 또는 Cr 의 원자비를 B (at％), Zn 또는 Sn 의 원자비를 C (at％) 로 했을 때, 0.5 ≤ A/B ≤ 5 이고, 0 < C/(A ＋ B) < 10 인 것을 특징으로 하는 소결체. 벌크 저항이 낮고, DC 스퍼터링이 가능하고, 투명하고 고굴절률인 박막을 형성할 수 있다.
OXIDE SINTERED COMPACT OXIDE SPUTTERING TARGET CONDUCTIVE OXIDE THIN FILM HAVING HIGH REFRACTIVE INDEX AND METHOD FOR PRODUCING THE OXIDE SINTERED COMPACT
인듐 (In), 및 티탄 (Ti) 또는 크롬 (Cr), 및 아연 (Zn) 또는 주석 (Sn) 및 산소 (O) 로 이루어지고, In 을 InO환산으로 2 ∼ 65 ㏖％ 함유하고, Ti 또는 Cr 을 각각 TiO환산 또는 CrO환산으로 2 ∼ 65 ㏖％ 함유하고, In 의 원자비를 A (at％), Ti 또는 Cr 의 원자비를 B (at％), Zn 또는 Sn 의 원자비를 C (at％) 로 했을 때, 0.5 ≤ A/B ≤ 5 이고, 0 < C/(A ＋ B) < 10 인 것을 특징으로 하는 소결체. 벌크 저항이 낮고, DC 스퍼터링이 가능하고, 투명하고 고굴절률인 박막을 형성할 수 있다.
OXIDE SINTERED COMPACT OXIDE SPUTTERING TARGET CONDUCTIVE OXIDE THIN FILM HAVING HIGH REFRACTIVE INDEX AND METHOD FOR PRODUCING THE OXIDE SINTERED COMPACT
산화물 소결체, 산화물 스퍼터링 타깃 및 고굴절률의 도전성 산화물 박막 그리고 산화물 소결체의 제조 방법
2017-06-15
Patent
Electronic Resource
Korean
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, THIN FILM AND METHOD OF PRODUCING OXIDE SINTERED COMPACT
| European Patent Office | 2016
OXIDE SINTERED COMPACT SPUTTERING TARGET THIN FILM AND METHOD OF PRODUCING OXIDE SINTERED COMPACT
European Patent Office | 2017
OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SINTERED COMPACT
| European Patent Office | 2016
| European Patent Office | 2015
| European Patent Office | 2015