A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
주성분이 일반식 (M(1)M(2))(M(3)M(4))(ON)으로 표시되는 산질화물로 이루어지는 다결정 유전체 박막이다. 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0＜z＜1/3이다. M(1), M(2), M(3) 및 M(4)의 형식 가수의 총합이 14이다. 산질화물의 결정 구조가, 중심 원자, 2개의 4a 사이트 원자 및 4개의 8h 사이트 원자로 이루어지는 8면체 구조를 포함한다. 중심 원자가 M(3) 또는 M(4)이다. 4a 사이트 원자가 O원자 또는 N원자이다. 8h 사이트 원자가 O원자 또는 N원자이다. 8면체 구조에 있어서, 2개의 4a 사이트 원자를 이은 직선과, 상기 결정 구조의 c축 방향이 이루는 각을 θ로 하는 경우에, 0.5°≤θ≤12°이다.
A polycrystalline dielectric thin film comprising a main component made of an oxynitride expressed by a general formula of (M(l) 1-x M(2) x )(M(3) 1-y M(4) y )(O 1-z N z ) 3 . 0 ¤ x ¤ 1, 0 ¤ y ¤ 1, and 0 < z < 1/3 are satisfied. A total sum of nominal valences of M(1), M(2), M(3), and M(4) is 14. A crystal structure of said oxynitride includes an octahedron structure comprised of a center atom, two 4a site atoms, and four 8h site atoms. Said center atom is M(3) or M(4). Said 4a site atom is O atom or N atom. Said 8h site atom is O atom or N atom. An angle ¸ formed between a straight line connecting two 4a site atoms and a c-axis direction of said crystal structure in said octahedron structure satisfies 0.5° ¤ ¸ ¤ 12°.
POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
주성분이 일반식 (M(1)M(2))(M(3)M(4))(ON)으로 표시되는 산질화물로 이루어지는 다결정 유전체 박막이다. 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0＜z＜1/3이다. M(1), M(2), M(3) 및 M(4)의 형식 가수의 총합이 14이다. 산질화물의 결정 구조가, 중심 원자, 2개의 4a 사이트 원자 및 4개의 8h 사이트 원자로 이루어지는 8면체 구조를 포함한다. 중심 원자가 M(3) 또는 M(4)이다. 4a 사이트 원자가 O원자 또는 N원자이다. 8h 사이트 원자가 O원자 또는 N원자이다. 8면체 구조에 있어서, 2개의 4a 사이트 원자를 이은 직선과, 상기 결정 구조의 c축 방향이 이루는 각을 θ로 하는 경우에, 0.5°≤θ≤12°이다.
A polycrystalline dielectric thin film comprising a main component made of an oxynitride expressed by a general formula of (M(l) 1-x M(2) x )(M(3) 1-y M(4) y )(O 1-z N z ) 3 . 0 ¤ x ¤ 1, 0 ¤ y ¤ 1, and 0 < z < 1/3 are satisfied. A total sum of nominal valences of M(1), M(2), M(3), and M(4) is 14. A crystal structure of said oxynitride includes an octahedron structure comprised of a center atom, two 4a site atoms, and four 8h site atoms. Said center atom is M(3) or M(4). Said 4a site atom is O atom or N atom. Said 8h site atom is O atom or N atom. An angle ¸ formed between a straight line connecting two 4a site atoms and a c-axis direction of said crystal structure in said octahedron structure satisfies 0.5° ¤ ¸ ¤ 12°.
POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
다결정 유전체 박막 및 용량 소자
2020-04-22
Patent
Electronic Resource
Korean
POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
| European Patent Office | 2018
POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
| European Patent Office | 2018
Polycrystalline dielectric thin film and capacitance element
| European Patent Office | 2019
POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
| European Patent Office | 2018
POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITOR ELEMENT
| European Patent Office | 2017