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POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
The present invention provides a polycrystalline dielectric thin film formed with oxynitride whose principal component is represented by formula, (M(1)_(1-x)M(2)_x)(M(3)_(1-y)M(4)_y)(O_(1-z)N_z)_3, wherein 0 <= x <= 1, 0 <= y <= 1, and 0 < z < 1/3 are satisfied. The total sum of form addends of M(1), M(2), M(3), and M(4) is 14. The crystal structure of oxynitride includes an octahedral structure comprising a center atom, two 4a site atoms, and four 8h site atoms. The center atom is M(3) or M(4). The 4a site atom is an O atom or an N atom. The 8h site atom is an O atom or an N atom. The octahedral structure satisfies 0.5° <= θ <= 12° when θ is an angle formed with a straight line connecting two 4a site atoms and a c-axis direction of the crystal structure. The present invention is provided to have high relative permittivity.
주성분이 일반식 (M(1)M(2))(M(3)M(4))(ON)으로 표시되는 산질화물로 이루어지는 다결정 유전체 박막이다. 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0＜z＜1/3이다. M(1), M(2), M(3) 및 M(4)의 형식 가수의 총합이 14이다. 산질화물의 결정 구조가, 중심 원자, 2개의 4a 사이트 원자 및 4개의 8h 사이트 원자로 이루어지는 8면체 구조를 포함한다. 중심 원자가 M(3) 또는 M(4)이다. 4a 사이트 원자가 O원자 또는 N원자이다. 8h 사이트 원자가 O원자 또는 N원자이다. 8면체 구조에 있어서, 2개의 4a 사이트 원자를 이은 직선과, 상기 결정 구조의 c축 방향이 이루는 각을 θ로 하는 경우에, 0.5°≤θ≤12°이다.
POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
The present invention provides a polycrystalline dielectric thin film formed with oxynitride whose principal component is represented by formula, (M(1)_(1-x)M(2)_x)(M(3)_(1-y)M(4)_y)(O_(1-z)N_z)_3, wherein 0 <= x <= 1, 0 <= y <= 1, and 0 < z < 1/3 are satisfied. The total sum of form addends of M(1), M(2), M(3), and M(4) is 14. The crystal structure of oxynitride includes an octahedral structure comprising a center atom, two 4a site atoms, and four 8h site atoms. The center atom is M(3) or M(4). The 4a site atom is an O atom or an N atom. The 8h site atom is an O atom or an N atom. The octahedral structure satisfies 0.5° <= θ <= 12° when θ is an angle formed with a straight line connecting two 4a site atoms and a c-axis direction of the crystal structure. The present invention is provided to have high relative permittivity.
주성분이 일반식 (M(1)M(2))(M(3)M(4))(ON)으로 표시되는 산질화물로 이루어지는 다결정 유전체 박막이다. 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0＜z＜1/3이다. M(1), M(2), M(3) 및 M(4)의 형식 가수의 총합이 14이다. 산질화물의 결정 구조가, 중심 원자, 2개의 4a 사이트 원자 및 4개의 8h 사이트 원자로 이루어지는 8면체 구조를 포함한다. 중심 원자가 M(3) 또는 M(4)이다. 4a 사이트 원자가 O원자 또는 N원자이다. 8h 사이트 원자가 O원자 또는 N원자이다. 8면체 구조에 있어서, 2개의 4a 사이트 원자를 이은 직선과, 상기 결정 구조의 c축 방향이 이루는 각을 θ로 하는 경우에, 0.5°≤θ≤12°이다.
POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
다결정 유전체 박막 및 용량 소자
UMEDA YUJI (author) / YAMAZAKI KUMIKO (author)
2018-10-11
Patent
Electronic Resource
Korean
POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
| European Patent Office | 2018
Polycrystalline dielectric thin film and capacitance element
| European Patent Office | 2019
POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
European Patent Office | 2020
POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITANCE ELEMENT
| European Patent Office | 2018
POLYCRYSTALLINE DIELECTRIC THIN FILM AND CAPACITOR ELEMENT
| European Patent Office | 2017