A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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AMORPHOUS COMPOSITE OXIDE FILM,CRYSTALLINE COMPOSITE OXIDE FILM,PROCESS FOR PRODUCING AMORPHOUS COMPOSITE OXIDE FILM,PROCESS FOR PRODUCING CRYSTALLINE COMPOSITE OXIDE FILM,AND COMPOSITE OXIDE SINTER
실질적으로 인듐, 주석, 마그네슘 및 산소로 이루어지고, 주석이 Sn/(In+Sn+Mg) 의 원자수비로 5 ∼ 15 ％ 의 비율, 마그네슘이 Mg/(In+Sn+Mg) 의 원자수비로 0.1 ∼ 2.0 ％ 의 비율로 함유되어 있고, 잔부가 인듐과 산소로 이루어지는 아모르퍼스막이고, 또한, 260 ℃ 이하의 온도에서 어닐링함으로써, 막이 결정화되어, 막의 저항률이 0.4 mΩ 이하가 되는 것을 특징으로 하는 막이다. 플랫 패널 디스플레이용 표시 전극 등에 사용되는 ITO 계 박막을 기판 무가열에 의해, 성막시에 물을 첨가하지 않고, 스퍼터 성막하여, 비정질의 ITO 계 막이 얻어짐과 함께, 당해 ITO 계막이 260 ℃ 이하의 그다지 고온이 아닌 어닐링에 의해 결정화되고, 결정화 후의 저항률이 낮아지는 특성을 갖는 ITO 계 막, 그 막의 제조 방법 및 그 막 제조를 위한 소결체의 제공을 목적으로 한다.
Provided is an amorphous film comprised substantially of indium, tin, magnesium and oxygen, and containing tin at a ratio of 5 to 15% based on an atomicity ratio of Sn/(In+Sn+Mg) and magnesium at a ratio of 0.1 to 2.0% based on an atomicity ratio of Mg/(In+Sn+Mg) with remnant being indium and oxygen, and having a film resistivity of 0.4 mΩcm or less as a result of crystallizing the film by annealing the film at a temperature of 260° C. or lower. An amorphous ITO thin film for use as a display electrode and the like in flat panel displays is obtained by way of sputter deposition without heating the substrate and without the need of adding water during the deposition. This amorphous ITO film has the property of being crystallized by annealing at 260° C. or lower, which is not such a high temperature, and having low resistivity after crystallization. Also provided are a method of producing the film and a sintered compact for producing the film.
AMORPHOUS COMPOSITE OXIDE FILM,CRYSTALLINE COMPOSITE OXIDE FILM,PROCESS FOR PRODUCING AMORPHOUS COMPOSITE OXIDE FILM,PROCESS FOR PRODUCING CRYSTALLINE COMPOSITE OXIDE FILM,AND COMPOSITE OXIDE SINTER
실질적으로 인듐, 주석, 마그네슘 및 산소로 이루어지고, 주석이 Sn/(In+Sn+Mg) 의 원자수비로 5 ∼ 15 ％ 의 비율, 마그네슘이 Mg/(In+Sn+Mg) 의 원자수비로 0.1 ∼ 2.0 ％ 의 비율로 함유되어 있고, 잔부가 인듐과 산소로 이루어지는 아모르퍼스막이고, 또한, 260 ℃ 이하의 온도에서 어닐링함으로써, 막이 결정화되어, 막의 저항률이 0.4 mΩ 이하가 되는 것을 특징으로 하는 막이다. 플랫 패널 디스플레이용 표시 전극 등에 사용되는 ITO 계 박막을 기판 무가열에 의해, 성막시에 물을 첨가하지 않고, 스퍼터 성막하여, 비정질의 ITO 계 막이 얻어짐과 함께, 당해 ITO 계막이 260 ℃ 이하의 그다지 고온이 아닌 어닐링에 의해 결정화되고, 결정화 후의 저항률이 낮아지는 특성을 갖는 ITO 계 막, 그 막의 제조 방법 및 그 막 제조를 위한 소결체의 제공을 목적으로 한다.
Provided is an amorphous film comprised substantially of indium, tin, magnesium and oxygen, and containing tin at a ratio of 5 to 15% based on an atomicity ratio of Sn/(In+Sn+Mg) and magnesium at a ratio of 0.1 to 2.0% based on an atomicity ratio of Mg/(In+Sn+Mg) with remnant being indium and oxygen, and having a film resistivity of 0.4 mΩcm or less as a result of crystallizing the film by annealing the film at a temperature of 260° C. or lower. An amorphous ITO thin film for use as a display electrode and the like in flat panel displays is obtained by way of sputter deposition without heating the substrate and without the need of adding water during the deposition. This amorphous ITO film has the property of being crystallized by annealing at 260° C. or lower, which is not such a high temperature, and having low resistivity after crystallization. Also provided are a method of producing the film and a sintered compact for producing the film.
AMORPHOUS COMPOSITE OXIDE FILM,CRYSTALLINE COMPOSITE OXIDE FILM,PROCESS FOR PRODUCING AMORPHOUS COMPOSITE OXIDE FILM,PROCESS FOR PRODUCING CRYSTALLINE COMPOSITE OXIDE FILM,AND COMPOSITE OXIDE SINTER
아모르퍼스 복합 산화막, 결정질 복합 산화막, 아모르퍼스 복합 산화막의 제조 방법, 결정질 복합 산화막의 제조 방법 및 복합 산화물 소결체
IKISAWA MASAKATSU (author) / YAHAGI MASATAKA (author)
2016-06-03
Patent
Electronic Resource
Korean
| European Patent Office | 2021
| European Patent Office | 2020
COMPOSITE OXIDE SINTERED BODY AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
| European Patent Office | 2019
Composite oxide sintered body and transparent conductive oxide film
| European Patent Office | 2015