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METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER USING SAME
일반식 [1] 로 나타내는 용매와 무기 금속염을 함유하는 금속 산화물 반도체층 형성용 조성물에 따른 것이다.(식 중, R은 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 직사슬 또는 분기의 알킬렌기, R는 탄소 원자수 1 ∼ 3 의 직사슬 또는 분기의 알킬기를 나타낸다)
Provided is a composition for forming a metal oxide semiconductor that includes a solvent represented by general formula [1] and an inorganic metal salt. (In the formula, R1 represents a linear or branched C2-3 alkylene group, and R2 represents a linear or branched C1-3 alkyl group.)
METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER USING SAME
일반식 [1] 로 나타내는 용매와 무기 금속염을 함유하는 금속 산화물 반도체층 형성용 조성물에 따른 것이다.(식 중, R은 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 직사슬 또는 분기의 알킬렌기, R는 탄소 원자수 1 ∼ 3 의 직사슬 또는 분기의 알킬기를 나타낸다)
Provided is a composition for forming a metal oxide semiconductor that includes a solvent represented by general formula [1] and an inorganic metal salt. (In the formula, R1 represents a linear or branched C2-3 alkylene group, and R2 represents a linear or branched C1-3 alkyl group.)
METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER USING SAME
금속 산화물 반도체층 형성용 조성물 및 그것을 사용한 금속 산화물 반도체층의 제조 방법
MAEDA SHINICHI (author)
2017-03-20
Patent
Electronic Resource
Korean
European Patent Office | 2022
| European Patent Office | 2020
| European Patent Office | 2019
AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE
| European Patent Office | 2020
AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE
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