A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃의 제조 방법, 결정 산화물 박막, 박막 트랜지스터, 및 전자 기기
In 원소, Ga 원소, 및 O 원소를 포함하는 산화물 소결체를 구비하는 스퍼터링 타깃으로서, 상기 소결체가, In2O3 으로 나타내는 결정 구조를 포함하고, 상기 산화물 소결체 중의 상기 Ga 원소의 원자 조성비가 하기 식 (1) 을 만족하고, 상기 산화물 소결체의 항절 강도가 140 ㎫ 이상인, 스퍼터링 타깃 (1). 8 ≤ Ga/(In + Ga) ≤ 20 …(1)
Provided is a spattering target (1) comprising an oxide sintered compact including an In element, a Ga element, and an O element. Said sintered compact includes a crystal structure represented by In2O3, the atomic composition ratio of the Ga element in the oxide sintered compact satisfies expression (1), and the flexural strength of the oxide sintered compact is 140 MPa or greater. Expression (1): 8 ≤ Ga/(In+Ga) ≤ 20
스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃의 제조 방법, 결정 산화물 박막, 박막 트랜지스터, 및 전자 기기
In 원소, Ga 원소, 및 O 원소를 포함하는 산화물 소결체를 구비하는 스퍼터링 타깃으로서, 상기 소결체가, In2O3 으로 나타내는 결정 구조를 포함하고, 상기 산화물 소결체 중의 상기 Ga 원소의 원자 조성비가 하기 식 (1) 을 만족하고, 상기 산화물 소결체의 항절 강도가 140 ㎫ 이상인, 스퍼터링 타깃 (1). 8 ≤ Ga/(In + Ga) ≤ 20 …(1)
Provided is a spattering target (1) comprising an oxide sintered compact including an In element, a Ga element, and an O element. Said sintered compact includes a crystal structure represented by In2O3, the atomic composition ratio of the Ga element in the oxide sintered compact satisfies expression (1), and the flexural strength of the oxide sintered compact is 140 MPa or greater. Expression (1): 8 ≤ Ga/(In+Ga) ≤ 20
스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃의 제조 방법, 결정 산화물 박막, 박막 트랜지스터, 및 전자 기기
ITOSE MAMI (author) / KAIJO AKIRA (author)
2024-11-28
Patent
Electronic Resource
Korean