A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SPUTTERING TARGET MATERIAL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SPUTTERING TARGET
A sputtering target material comprises an oxide of at least one kind of metal selected from a group consisting of In, Ga, Zn, Sn and Al. The surface of said sputtering target material does not have discolored sections of 1000 µm2 area or greater that arise from iron, or if the surface has discolored sections of 1000 µm2 area or greater that arise from iron, the proportion thereof is not more than 0.02 sections/1200 cm2. Said sputtering target material is suitably manufactured by a method comprising at least one magnetic separation step in the manufacturing process.
L'invention porte sur un matériau cible de pulvérisation cathodique qui comprend un oxyde d'au moins un type de métal choisi dans un groupe constitué d'In, Ga, Zn, Sn et Al. La surface dudit matériau cible de pulvérisation cathodique ne présente pas de zones décolorées d'une surface supérieure ou égale à 1000 µm2 dues au fer, ou, si la surface comporte des zones décolorées de 1000 µm2 ou plus dues au fer, la proportion de ces dernières n'est pas supérieure à 0,02 zones pour 1200 cm2. Ledit matériau cible de pulvérisation cathodique est fabriqué de manière appropriée par un procédé comprenant au moins une étape de séparation magnétique dans le processus de fabrication.
スパッタリングターゲット材は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＡｌからなる群から選択される少なくとも１種の酸化物を含む。このスパッタリングターゲット材は、鉄に由来する、面積１０００μｍ２以上の変色部を表面に有さないか、又は鉄に由来する、面積１０００μｍ２以上の変色部を表面に有する場合には、その割合が０．０２個／１２００ｃｍ２以下である。このスパッタリングターゲット材は、その製造工程に少なくとも１度の磁選工程を含む方法で好適に製造される。
SPUTTERING TARGET MATERIAL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SPUTTERING TARGET
A sputtering target material comprises an oxide of at least one kind of metal selected from a group consisting of In, Ga, Zn, Sn and Al. The surface of said sputtering target material does not have discolored sections of 1000 µm2 area or greater that arise from iron, or if the surface has discolored sections of 1000 µm2 area or greater that arise from iron, the proportion thereof is not more than 0.02 sections/1200 cm2. Said sputtering target material is suitably manufactured by a method comprising at least one magnetic separation step in the manufacturing process.
L'invention porte sur un matériau cible de pulvérisation cathodique qui comprend un oxyde d'au moins un type de métal choisi dans un groupe constitué d'In, Ga, Zn, Sn et Al. La surface dudit matériau cible de pulvérisation cathodique ne présente pas de zones décolorées d'une surface supérieure ou égale à 1000 µm2 dues au fer, ou, si la surface comporte des zones décolorées de 1000 µm2 ou plus dues au fer, la proportion de ces dernières n'est pas supérieure à 0,02 zones pour 1200 cm2. Ledit matériau cible de pulvérisation cathodique est fabriqué de manière appropriée par un procédé comprenant au moins une étape de séparation magnétique dans le processus de fabrication.
スパッタリングターゲット材は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＡｌからなる群から選択される少なくとも１種の酸化物を含む。このスパッタリングターゲット材は、鉄に由来する、面積１０００μｍ２以上の変色部を表面に有さないか、又は鉄に由来する、面積１０００μｍ２以上の変色部を表面に有する場合には、その割合が０．０２個／１２００ｃｍ２以下である。このスパッタリングターゲット材は、その製造工程に少なくとも１度の磁選工程を含む方法で好適に製造される。
SPUTTERING TARGET MATERIAL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SPUTTERING TARGET
MATÉRIAU CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, PROCÉDÉ POUR LE FABRIQUER ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
スパッタリングターゲット材及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット
TERAMURA KYOSUKE (author) / TAKEUCHI TOMOYA (author)
2017-10-05
Patent
Electronic Resource
Japanese
Sputtering target material and method for manufacturing sputtering target material
| European Patent Office | 2023
SPUTTERING TARGET MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET MATERIAL
| European Patent Office | 2022
SPUTTERING TARGET MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET MATERIAL
| European Patent Office | 2024