A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SPUTTERING TARGET, METHOD FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, AND BACKING PLATE
Provided is a sputtering target (1) wherein a plate-shaped oxide sintered body (3) has a plurality of regions disposed in the Y-direction; the plurality of regions have end regions (7A, 7B), each of which is a region containing an end in the Y-direction, and inner regions (9A, 9B), each of which is a second region to the inside counting from the end in the Y-direction; and, when defining t1 as the plate thickness of the end region (7A, 7B), L1 as the width in the Y-direction of the end region (7A, 7B), and t2 as the plate thickness of the inner region (9A, 9B), t1, L1, and t2 satisfy formulas (1) to (4). (1): t2 > t1 (2): t1 (mm) > L1 (mm) × 0.1 + 4 (3): t1 (mm) < 9 (4): 10 < L1 (mm) < 35
La présente invention concerne une cible de pulvérisation cathodique (1) dans laquelle un corps fritté d'oxyde en forme de plaque (3) comporte une pluralité de régions disposées dans la direction Y ; la pluralité de régions ont des régions d'extrémité (7A, 7B), dont chacune est une région contenant une extrémité dans la direction Y, et des régions internes (9A, 9B), dont chacune est une deuxième région vers l'intérieur en comptant depuis l'extrémité dans la direction Y ; et, lors de la définition de t1 comme étant l'épaisseur de plaque de la région d'extrémité (7A, 7B), L1 comme étant la largeur dans la direction Y de la région d'extrémité (7A, 7B), et t2 comme étant l'épaisseur de plaque de la région interne (9A, 9B), t1, L1, et t2 satisfont aux formules (1) à (4). (1): t2 > t1 (2) : t1 (mm) > L1 (mm) × 0,1 + 4 (3) : t1 (mm) < 9 (4) : 10 < L1 (mm) < 35
板状の酸化物焼結体（３）はＹ方向に配列された複数の領域を有し、複数の領域は、Ｙ方向における端部を含む領域である端部領域（７Ａ、７Ｂ）と、端部からＹ方向に向けて数えて内側に２番目の領域である内側領域（９Ａ、９Ｂ）を有し、端部領域（７Ａ、７Ｂ）の板厚をｔ１、端部領域（７Ａ、７Ｂ）のＹ方向の幅をＬ１、内側領域（９Ａ、９Ｂ）の板厚をｔ２とした場合、ｔ１、Ｌ１、ｔ２が、以下の式（１）乃至式（４）を満たす、スパッタリングターゲット（１）。 ｔ２＞ｔ１ ・・・（１） ｔ１（ｍｍ）＞Ｌ１（ｍｍ）×０．１＋４・・・（２） ｔ１（ｍｍ）＜９ ・・・（３） １０＜Ｌ１（ｍｍ）＜３５ ・・・（４）
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, AND BACKING PLATE
Provided is a sputtering target (1) wherein a plate-shaped oxide sintered body (3) has a plurality of regions disposed in the Y-direction; the plurality of regions have end regions (7A, 7B), each of which is a region containing an end in the Y-direction, and inner regions (9A, 9B), each of which is a second region to the inside counting from the end in the Y-direction; and, when defining t1 as the plate thickness of the end region (7A, 7B), L1 as the width in the Y-direction of the end region (7A, 7B), and t2 as the plate thickness of the inner region (9A, 9B), t1, L1, and t2 satisfy formulas (1) to (4). (1): t2 > t1 (2): t1 (mm) > L1 (mm) × 0.1 + 4 (3): t1 (mm) < 9 (4): 10 < L1 (mm) < 35
La présente invention concerne une cible de pulvérisation cathodique (1) dans laquelle un corps fritté d'oxyde en forme de plaque (3) comporte une pluralité de régions disposées dans la direction Y ; la pluralité de régions ont des régions d'extrémité (7A, 7B), dont chacune est une région contenant une extrémité dans la direction Y, et des régions internes (9A, 9B), dont chacune est une deuxième région vers l'intérieur en comptant depuis l'extrémité dans la direction Y ; et, lors de la définition de t1 comme étant l'épaisseur de plaque de la région d'extrémité (7A, 7B), L1 comme étant la largeur dans la direction Y de la région d'extrémité (7A, 7B), et t2 comme étant l'épaisseur de plaque de la région interne (9A, 9B), t1, L1, et t2 satisfont aux formules (1) à (4). (1): t2 > t1 (2) : t1 (mm) > L1 (mm) × 0,1 + 4 (3) : t1 (mm) < 9 (4) : 10 < L1 (mm) < 35
板状の酸化物焼結体（３）はＹ方向に配列された複数の領域を有し、複数の領域は、Ｙ方向における端部を含む領域である端部領域（７Ａ、７Ｂ）と、端部からＹ方向に向けて数えて内側に２番目の領域である内側領域（９Ａ、９Ｂ）を有し、端部領域（７Ａ、７Ｂ）の板厚をｔ１、端部領域（７Ａ、７Ｂ）のＹ方向の幅をＬ１、内側領域（９Ａ、９Ｂ）の板厚をｔ２とした場合、ｔ１、Ｌ１、ｔ２が、以下の式（１）乃至式（４）を満たす、スパッタリングターゲット（１）。 ｔ２＞ｔ１ ・・・（１） ｔ１（ｍｍ）＞Ｌ１（ｍｍ）×０．１＋４・・・（２） ｔ１（ｍｍ）＜９ ・・・（３） １０＜Ｌ１（ｍｍ）＜３５ ・・・（４）
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, AND BACKING PLATE
CIBLE DE PULVÉRISATION, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR, ET PLAQUE DE SUPPORT
スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜の成膜方法、およびバッキングプレート
KAIJO AKIRA (author)
2019-02-07
Patent
Electronic Resource
Japanese
SPUTTERING TARGET/BACKING PLATE CONJUGATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
| European Patent Office | 2020
| European Patent Office | 2017
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM USING SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2015
| European Patent Office | 2017