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KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT
Kupfer-Keramik-Substrat (1) mit -einem Keramikträger (2), und -mindestens einer mit einer Oberfläche des Keramikträgers (2) verbundenen Kupferschicht (3,4), welche -eine freie Oberfläche zur Ausbildung einer Leiterstruktur und/oder zur Befestigung von Bonddrähten aufweist, wobei -die Kupferschicht (3,4) ein Gefüge mit einem gemittelten Korngrößendurchmesser von 200 bis 500 μm, bevorzugt von 300 bis 400 μm, aufweist.
The invention relates to a copper-ceramic substrate (1) comprising a ceramic carrier (2), and at least one copper layer structure (3, 4) joined to a surface of the ceramic carrier (2), which has a free surface for forming a conductor structure and/or for securing bonding wires, wherein the copper layer (3, 4) has a microstructure with an average particle size diameter of 200 to 500μm, preferably 300 to 400μm.
L'invention concerne un substrat (1) cuivre-céramique pourvu - d'un support céramique (2), et - d'au moins une couche de cuivre (3, 4) reliée à une surface du support céramique (2), laquelle comporte - une surface libre pour la constitution d'une structure de conducteur et/ou la fixation de fils de connexion, - la couche de cuivre (3, 4) présentant une structure dont le diamètre de taille de grains est compris entre 200 et 500 µm, de préférence entre 300 et 400 µm.
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT
Kupfer-Keramik-Substrat (1) mit -einem Keramikträger (2), und -mindestens einer mit einer Oberfläche des Keramikträgers (2) verbundenen Kupferschicht (3,4), welche -eine freie Oberfläche zur Ausbildung einer Leiterstruktur und/oder zur Befestigung von Bonddrähten aufweist, wobei -die Kupferschicht (3,4) ein Gefüge mit einem gemittelten Korngrößendurchmesser von 200 bis 500 μm, bevorzugt von 300 bis 400 μm, aufweist.
The invention relates to a copper-ceramic substrate (1) comprising a ceramic carrier (2), and at least one copper layer structure (3, 4) joined to a surface of the ceramic carrier (2), which has a free surface for forming a conductor structure and/or for securing bonding wires, wherein the copper layer (3, 4) has a microstructure with an average particle size diameter of 200 to 500μm, preferably 300 to 400μm.
L'invention concerne un substrat (1) cuivre-céramique pourvu - d'un support céramique (2), et - d'au moins une couche de cuivre (3, 4) reliée à une surface du support céramique (2), laquelle comporte - une surface libre pour la constitution d'une structure de conducteur et/ou la fixation de fils de connexion, - la couche de cuivre (3, 4) présentant une structure dont le diamètre de taille de grains est compris entre 200 et 500 µm, de préférence entre 300 et 400 µm.
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT
COPPER-CERAMIC SUBSTRATE
SUBSTRAT CUIVRE-CÉRAMIQUE
LEHMANN HELGE (author) / ZEIGER KARL (author) / CAPPI BENJAMIN (author)
2019-09-26
Patent
Electronic Resource
German