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OXIDE SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND OXIDE THIN FILM FORMED USING OXIDE SPUTTERING TARGET
Provided is an oxide sputtering target characterized in that MoO2 and In2O3 are contained, the Mo content ratio satisfies 0.1≤Mo/(In+Mo)≤0.8 in atomic ratio, and the relative density is 80% or more. Provided is a production method for an oxide sputtering target, the method being characterized by hot-press sintering an indium oxide powder and a molybdenum oxide powder in a reducing gas atmosphere or an inert atmosphere. The present invention addresses the problem of providing an oxide sputtering target which has a high density, and a production method therefor.
L'invention concerne une cible de pulvérisation cathodique constituée d'oxydes, caractérisée en ce qu'elle contient du MoO2 et de l'In2O3, la proportion de teneur en Mo satisfaisant à la relation 0,1 ≤ Mo/(In + Mo) ≤ 0,8 en terme de rapport atomique et la densité relative étant supérieure ou égale à 80 %. L'invention concerne également un procédé de production d'une cible de pulvérisation cathodique constituée d'oxydes, le procédé étant caractérisé par le frittage à chaud d'une poudre d'oxyde d'indium et d'une poudre d'oxyde de molybdène dans une atmosphère de gaz réducteur ou une atmosphère inerte. La présente invention a pour objet : une cible de pulvérisation cathodique constituée d'oxydes qui a une densité élevée et un procédé de production s'y rapportant.
MoO2とIn2O3を含有し、Mo含有比率が原子比で0.1≦Mo/(In+Mo)≦0.8を満たし、相対密度が80%以上であることを特徴とする酸化物スパッタリングターゲット。酸化インジウム粉と酸化モリブデン粉を、還元ガス雰囲気又は不活性雰囲気でホットプレス焼結することを特徴とする酸化物スパッタリングターゲットの製造方法。本発明は、密度が高い酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。
OXIDE SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND OXIDE THIN FILM FORMED USING OXIDE SPUTTERING TARGET
Provided is an oxide sputtering target characterized in that MoO2 and In2O3 are contained, the Mo content ratio satisfies 0.1≤Mo/(In+Mo)≤0.8 in atomic ratio, and the relative density is 80% or more. Provided is a production method for an oxide sputtering target, the method being characterized by hot-press sintering an indium oxide powder and a molybdenum oxide powder in a reducing gas atmosphere or an inert atmosphere. The present invention addresses the problem of providing an oxide sputtering target which has a high density, and a production method therefor.
L'invention concerne une cible de pulvérisation cathodique constituée d'oxydes, caractérisée en ce qu'elle contient du MoO2 et de l'In2O3, la proportion de teneur en Mo satisfaisant à la relation 0,1 ≤ Mo/(In + Mo) ≤ 0,8 en terme de rapport atomique et la densité relative étant supérieure ou égale à 80 %. L'invention concerne également un procédé de production d'une cible de pulvérisation cathodique constituée d'oxydes, le procédé étant caractérisé par le frittage à chaud d'une poudre d'oxyde d'indium et d'une poudre d'oxyde de molybdène dans une atmosphère de gaz réducteur ou une atmosphère inerte. La présente invention a pour objet : une cible de pulvérisation cathodique constituée d'oxydes qui a une densité élevée et un procédé de production s'y rapportant.
MoO2とIn2O3を含有し、Mo含有比率が原子比で0.1≦Mo/(In+Mo)≦0.8を満たし、相対密度が80%以上であることを特徴とする酸化物スパッタリングターゲット。酸化インジウム粉と酸化モリブデン粉を、還元ガス雰囲気又は不活性雰囲気でホットプレス焼結することを特徴とする酸化物スパッタリングターゲットの製造方法。本発明は、密度が高い酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。
OXIDE SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND OXIDE THIN FILM FORMED USING OXIDE SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE CONSTITUÉE D'OXYDES ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION S'Y RAPPORTANT ET FILM MINCE D'OXYDES FORMÉ À L'AIDE DE LA CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE CONSTITUÉE D'OXYDES
酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに当該酸化物スパッタリングターゲットを用いて成膜した酸化物薄膜
NARA ATSUSHI (author) / MUNEYASU KEI (author)
2020-02-13
Patent
Electronic Resource
Japanese
European Patent Office | 2022
European Patent Office | 2021
|OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
European Patent Office | 2021
|European Patent Office | 2017
|OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM USING SPUTTERING TARGET
European Patent Office | 2015
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