A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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NOVEL 3D NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
In a memory device, a lower memory cell string is formed over a substrate to include a first channel structure, a plurality of first word line layers and first insulating layers. The first channel structure protrudes from the substrate and passes through the first word line layers and first insulating layers. An inter deck contact is formed over the lower memory cell string and connected with the first channel structure. An upper memory cell string is formed over the inter deck contact. The upper memory cell string includes a second channel structure, a plurality of second word lines and second insulating layers. The second channel structure passes through the second word lines and second insulating layers, and extends to the inter deck contact, and further extends laterally into the second insulating layers. A channel dielectric region of the second channel structure is above the inter deck contact.
Selon la présente invention, dans un dispositif de mémoire, une chaîne de cellules de mémoire inférieure est formée sur un substrat pour comprendre une première structure de canal, une pluralité de premières couches de ligne de mots et de premières couches isolantes. La première structure de canal fait saillie à partir du substrat et passe à travers les premières couches de ligne de mots et les premières couches isolantes. Un contact inter-ponts est formé sur la chaîne de cellules de mémoire inférieure et connecté à la première structure de canal. Une chaîne de cellules de mémoire supérieure est formée sur le contact inter-ponts. La chaîne de cellules de mémoire supérieure comprend une seconde structure de canal, une pluralité de secondes lignes de mots et de secondes couches isolantes. La seconde structure de canal traverse les secondes lignes de mots et les secondes couches isolantes, et s'étend jusqu'au contact inter-ponts, et s'étend encore latéralement dans les secondes couches isolantes. Une région diélectrique de canal de la seconde structure de canal est au-dessus du contact inter-ponts.
NOVEL 3D NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
In a memory device, a lower memory cell string is formed over a substrate to include a first channel structure, a plurality of first word line layers and first insulating layers. The first channel structure protrudes from the substrate and passes through the first word line layers and first insulating layers. An inter deck contact is formed over the lower memory cell string and connected with the first channel structure. An upper memory cell string is formed over the inter deck contact. The upper memory cell string includes a second channel structure, a plurality of second word lines and second insulating layers. The second channel structure passes through the second word lines and second insulating layers, and extends to the inter deck contact, and further extends laterally into the second insulating layers. A channel dielectric region of the second channel structure is above the inter deck contact.
Selon la présente invention, dans un dispositif de mémoire, une chaîne de cellules de mémoire inférieure est formée sur un substrat pour comprendre une première structure de canal, une pluralité de premières couches de ligne de mots et de premières couches isolantes. La première structure de canal fait saillie à partir du substrat et passe à travers les premières couches de ligne de mots et les premières couches isolantes. Un contact inter-ponts est formé sur la chaîne de cellules de mémoire inférieure et connecté à la première structure de canal. Une chaîne de cellules de mémoire supérieure est formée sur le contact inter-ponts. La chaîne de cellules de mémoire supérieure comprend une seconde structure de canal, une pluralité de secondes lignes de mots et de secondes couches isolantes. La seconde structure de canal traverse les secondes lignes de mots et les secondes couches isolantes, et s'étend jusqu'au contact inter-ponts, et s'étend encore latéralement dans les secondes couches isolantes. Une région diélectrique de canal de la seconde structure de canal est au-dessus du contact inter-ponts.
NOVEL 3D NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
NOUVEAU DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON-ET ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
ZHANG RUOFANG (author) / WANG ENBO (author) / YANG HAOHAO (author) / XU QIANBING (author) / HU YUSHI (author) / ZHANG FUSHAN (author)
2020-03-19
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10B
NOVEL 3D NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2021
THREE-DIMENSIONAL NAND MEMORY DEVICE AND FORMING METHOD THEREOF
| European Patent Office | 2021
Improvement of memory performance of 3-D NAND flash memory with retrograde channel doping
| DOAJ | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022