A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
A three-dimensional (3D) memory device includes a stack structure and a channel structure. The stack structure includes interleaved conductive layers and dielectric layers. The channel structure extends through the stack structure along a first direction. The channel structure includes a semiconductor channel, and a memory film over the semiconductor channel. The memory film includes a tunneling layer over the semiconductor channel, a storage layer over the tunneling layer, and a blocking layer over the storage layer. The blocking layer and the storage layer are separated by the dielectric layers into a plurality of sections.
Un dispositif mémoire tridimensionnel (3D) comprend une structure d'empilement et une structure de canal. La structure d'empilement comprend des couches conductrices entrelacées et des couches diélectriques. La structure de canal s'étend à travers la structure d'empilement le long d'une première direction. La structure de canal comprend un canal semi-conducteur, et un film de mémoire recouvrant le canal semi-conducteur. Le film de mémoire comprend une couche à effet tunnel recouvrant le canal à semi-conducteur, une couche de stockage recouvrant la couche à effet tunnel, et une couche de blocage recouvrant la couche de stockage. La couche de blocage et la couche de stockage sont séparées par les couches diélectriques en une pluralité de sections.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
A three-dimensional (3D) memory device includes a stack structure and a channel structure. The stack structure includes interleaved conductive layers and dielectric layers. The channel structure extends through the stack structure along a first direction. The channel structure includes a semiconductor channel, and a memory film over the semiconductor channel. The memory film includes a tunneling layer over the semiconductor channel, a storage layer over the tunneling layer, and a blocking layer over the storage layer. The blocking layer and the storage layer are separated by the dielectric layers into a plurality of sections.
Un dispositif mémoire tridimensionnel (3D) comprend une structure d'empilement et une structure de canal. La structure d'empilement comprend des couches conductrices entrelacées et des couches diélectriques. La structure de canal s'étend à travers la structure d'empilement le long d'une première direction. La structure de canal comprend un canal semi-conducteur, et un film de mémoire recouvrant le canal semi-conducteur. Le film de mémoire comprend une couche à effet tunnel recouvrant le canal à semi-conducteur, une couche de stockage recouvrant la couche à effet tunnel, et une couche de blocage recouvrant la couche de stockage. La couche de blocage et la couche de stockage sont séparées par les couches diélectriques en une pluralité de sections.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
DISPOSITIF MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION
LIU XIAOXIN (author) / XUE LEI (author) / XIA ZHILIANG (author)
2022-04-28
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022
THREE-DIMENSIONAL NAND MEMORY DEVICE AND FORMING METHOD THEREOF
| European Patent Office | 2021
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2023