A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
A three-dimensional (3D) memory device includes a first stack structure, a first channel structure, a second stack structure, and a second channel structure. The first stack structure includes interleaved first conductive layers and first dielectric layers. The first channel structure extends through the first stack structure along a first direction. The first channel structure includes a first semiconductor channel, and a first memory film over the first semiconductor channel. The first memory film includes a storage layer. The storage layer is separated by the first dielectric layers into a plurality of sections.
L'invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnel (3D) comprenant une première structure d'empilement, une première structure de canal, une seconde structure d'empilement et une seconde structure de canal. La première structure d'empilement comprend des premières couches conductrices entrelacées et des premières couches diélectriques. La première structure de canal s'étend à travers la première structure d'empilement le long d'une première direction. La première structure de canal comprend un premier canal semi-conducteur, et un premier film de mémoire sur le premier canal semi-conducteur. Le premier film de mémoire comprend une couche de stockage. La couche de stockage est séparée par les premières couches diélectriques en une pluralité de sections.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
A three-dimensional (3D) memory device includes a first stack structure, a first channel structure, a second stack structure, and a second channel structure. The first stack structure includes interleaved first conductive layers and first dielectric layers. The first channel structure extends through the first stack structure along a first direction. The first channel structure includes a first semiconductor channel, and a first memory film over the first semiconductor channel. The first memory film includes a storage layer. The storage layer is separated by the first dielectric layers into a plurality of sections.
L'invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnel (3D) comprenant une première structure d'empilement, une première structure de canal, une seconde structure d'empilement et une seconde structure de canal. La première structure d'empilement comprend des premières couches conductrices entrelacées et des premières couches diélectriques. La première structure de canal s'étend à travers la première structure d'empilement le long d'une première direction. La première structure de canal comprend un premier canal semi-conducteur, et un premier film de mémoire sur le premier canal semi-conducteur. Le premier film de mémoire comprend une couche de stockage. La couche de stockage est séparée par les premières couches diélectriques en une pluralité de sections.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
LIU XIAOXIN (author)
2022-04-28
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022
THREE-DIMENSIONAL NAND MEMORY DEVICE AND FORMING METHOD THEREOF
| European Patent Office | 2021
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2023