A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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NOVEL 3D NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a channel structure that extends from a side of a substrate. The channel structure has sidewalls and a bottom region. The channel structure includes a bottom channel contact that is positioned at the bottom region, and a channel layer that is formed along the sidewalls and over the bottom channel contact. The channel structure further includes a high-k layer that is formed over the channel layer along the sidewalls of the channel structure and over the bottom channel contact.
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend une structure de canal qui s'étend à partir d'un côté d'un substrat. La structure de canal comporte des parois latérales et une région inférieure. La structure de canal comprend un contact de canal inférieur qui est positionné au niveau de la région inférieure, et une couche de canal qui est formée le long des parois latérales et au-dessus du contact de canal inférieur. La structure de canal comprend en outre une couche à constante k élevée qui est formée sur la couche de canal le long des parois latérales de la structure de canal et sur le contact de canal inférieur.
NOVEL 3D NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a channel structure that extends from a side of a substrate. The channel structure has sidewalls and a bottom region. The channel structure includes a bottom channel contact that is positioned at the bottom region, and a channel layer that is formed along the sidewalls and over the bottom channel contact. The channel structure further includes a high-k layer that is formed over the channel layer along the sidewalls of the channel structure and over the bottom channel contact.
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend une structure de canal qui s'étend à partir d'un côté d'un substrat. La structure de canal comporte des parois latérales et une région inférieure. La structure de canal comprend un contact de canal inférieur qui est positionné au niveau de la région inférieure, et une couche de canal qui est formée le long des parois latérales et au-dessus du contact de canal inférieur. La structure de canal comprend en outre une couche à constante k élevée qui est formée sur la couche de canal le long des parois latérales de la structure de canal et sur le contact de canal inférieur.
NOVEL 3D NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
NOUVEAU DISPOSITIF DE MÉMOIRE NAND 3D ET PROCÉDÉ DE FORMATION ASSOCIÉ
OUYANG YINGJIE (author) / XIA ZHILIANG (author) / JIN LEI (author) / WANG QIGUANG (author) / ZHOU WENXI (author) / SUN ZHONGWANG (author) / SU RUI (author) / PU YUE QIANG (author) / CHENG JIWEI (author)
2021-03-04
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10B
NOVEL 3D NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2020
THREE-DIMENSIONAL NAND MEMORY DEVICE AND FORMING METHOD THEREOF
| European Patent Office | 2021
Improvement of memory performance of 3-D NAND flash memory with retrograde channel doping
| DOAJ | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022