A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
OXIDE SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SPUTTERING TARGET
This oxide sputtering target is formed of an oxide that contains, as metal components, zirconium, silicon and indium; and the average particle diameter of composite oxide phases (13) containing In and Si is 10 μm or less. It is preferable that the maximum particle diameter of the composite oxide phases (13) is 50 μm or less.
Cette cible de pulvérisation d'oxyde est formée d'un oxyde qui contient, en tant que composants métalliques, du zirconium, du silicium et de l'indium ; et le diamètre moyen des particules de phases d'oxyde composite (13) contenant In et Si est inférieur ou égal à 10 µm. Il est préférable que le diamètre des particules maximum des phases d'oxyde composite (13) soit inférieur ou égal à 50 µm.
この酸化物スパッタリングターゲットは、金属成分として、ジルコニウム、ケイ素およびインジウムを含有した酸化物からなり、ＩｎとＳｉを含む複合酸化物相（１３）の平均粒径が１０μｍ以下とされている。複合酸化物相（１３）の最大粒径は５０μｍ以下が好ましい。
OXIDE SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SPUTTERING TARGET
This oxide sputtering target is formed of an oxide that contains, as metal components, zirconium, silicon and indium; and the average particle diameter of composite oxide phases (13) containing In and Si is 10 μm or less. It is preferable that the maximum particle diameter of the composite oxide phases (13) is 50 μm or less.
Cette cible de pulvérisation d'oxyde est formée d'un oxyde qui contient, en tant que composants métalliques, du zirconium, du silicium et de l'indium ; et le diamètre moyen des particules de phases d'oxyde composite (13) contenant In et Si est inférieur ou égal à 10 µm. Il est préférable que le diamètre des particules maximum des phases d'oxyde composite (13) soit inférieur ou égal à 50 µm.
この酸化物スパッタリングターゲットは、金属成分として、ジルコニウム、ケイ素およびインジウムを含有した酸化物からなり、ＩｎとＳｉを含む複合酸化物相（１３）の平均粒径が１０μｍ以下とされている。複合酸化物相（１３）の最大粒径は５０μｍ以下が好ましい。
OXIDE SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION D'OXYDE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CIBLE DE PULVÉRISATION D'OXYDE
酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法
IO KENSUKE (author) / YAMAGUCHI GO (author) / OHTOMO TAKESHI (author)
2021-06-10
Patent
Electronic Resource
Japanese
OXIDE SPUTTERING TARGET, AND METHOD OF PRODUCING OXIDE SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2022
Oxide sputtering target and method for producing oxide sputtering target
| European Patent Office | 2022
OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2022
Oxide sintered body, sputtering target, and method for producing sputtering target
| European Patent Office | 2021
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| European Patent Office | 2021