A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SPUTTERING TARGET
This oxide sputtering target is characterized by: being composed of an oxide sintered body including, as a main component, a metal component of zinc; and having a coefficient of variation of the specific resistance value in the direction of thickness of not more than 0.20. This method for producing an oxide sputtering target is characterized by comprising: a temporary calcination step for temporarily calcinating a sintering material powder; a disaggregation step for disaggregating the calcinated sintering material powder; and a sintering step for sintering the disaggregated sintering material powder to obtain a sintered body. The method is also and is characterized in that: the degree of vacuum in the temporary calcination step is in a range of no more than 15 Pa; the sintering temperature is in a range of 600-1,000°C; and the retention time at the sintering temperature is in a range of 2-6 hours.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation à base d'oxyde qui est caractérisée en ce que : elle est composée d'un corps fritté d'oxyde comprenant, en tant que composant principal, un composant métallique de zinc ; et elle a un coefficient de variation de la valeur de résistance spécifique dans la direction d'épaisseur de pas plus de 0,20. Ce procédé de production d'une cible de pulvérisation à base d'oxyde est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de calcination temporaire pour calciner temporairement une poudre de matériau de frittage ; une étape de désagrégation pour désagréger la poudre de matériau de frittage calcinée ; et une étape de frittage pour fritter la poudre de matériau de frittage désagrégée pour obtenir un corps fritté. Le procédé est en outre caractérisé en ce que : le degré de vide dans l'étape de calcination temporaire est dans une plage de pas plus de 15 Pa ; la température de frittage est dans une plage de 600 à 1000 °C ; et le temps de rétention à la température de frittage est dans une plage de 2 à 6 heures.
本発明の酸化物スパッタリングターゲットは、金属成分としてＺｎを主成分とする酸化物焼結体からなり、厚さ方向における比抵抗値の変動係数が０．２０以下であることを特徴とする。本発明の酸化物スパッタリングターゲットの製造方法は、焼結原料粉を仮焼成する仮焼成工程と、焼成した焼結原料粉を解砕する解砕工程と、解砕した焼結原料粉を焼結して焼結体を得る焼結工程と、を備えており、前記仮焼成工程における真空度が１５Ｐａ以下の範囲内、焼成温度が６００℃以上かつ１０００℃以下の範囲内、焼成温度での保持時間が２時間以上かつ６時間以下の範囲内とされていることを特徴とする。
OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SPUTTERING TARGET
This oxide sputtering target is characterized by: being composed of an oxide sintered body including, as a main component, a metal component of zinc; and having a coefficient of variation of the specific resistance value in the direction of thickness of not more than 0.20. This method for producing an oxide sputtering target is characterized by comprising: a temporary calcination step for temporarily calcinating a sintering material powder; a disaggregation step for disaggregating the calcinated sintering material powder; and a sintering step for sintering the disaggregated sintering material powder to obtain a sintered body. The method is also and is characterized in that: the degree of vacuum in the temporary calcination step is in a range of no more than 15 Pa; the sintering temperature is in a range of 600-1,000°C; and the retention time at the sintering temperature is in a range of 2-6 hours.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation à base d'oxyde qui est caractérisée en ce que : elle est composée d'un corps fritté d'oxyde comprenant, en tant que composant principal, un composant métallique de zinc ; et elle a un coefficient de variation de la valeur de résistance spécifique dans la direction d'épaisseur de pas plus de 0,20. Ce procédé de production d'une cible de pulvérisation à base d'oxyde est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de calcination temporaire pour calciner temporairement une poudre de matériau de frittage ; une étape de désagrégation pour désagréger la poudre de matériau de frittage calcinée ; et une étape de frittage pour fritter la poudre de matériau de frittage désagrégée pour obtenir un corps fritté. Le procédé est en outre caractérisé en ce que : le degré de vide dans l'étape de calcination temporaire est dans une plage de pas plus de 15 Pa ; la température de frittage est dans une plage de 600 à 1000 °C ; et le temps de rétention à la température de frittage est dans une plage de 2 à 6 heures.
本発明の酸化物スパッタリングターゲットは、金属成分としてＺｎを主成分とする酸化物焼結体からなり、厚さ方向における比抵抗値の変動係数が０．２０以下であることを特徴とする。本発明の酸化物スパッタリングターゲットの製造方法は、焼結原料粉を仮焼成する仮焼成工程と、焼成した焼結原料粉を解砕する解砕工程と、解砕した焼結原料粉を焼結して焼結体を得る焼結工程と、を備えており、前記仮焼成工程における真空度が１５Ｐａ以下の範囲内、焼成温度が６００℃以上かつ１０００℃以下の範囲内、焼成温度での保持時間が２時間以上かつ６時間以下の範囲内とされていることを特徴とする。
OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION À BASE D'OXYDE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CIBLE DE PULVÉRISATION À BASE D'OXYDE
酸化物スパッタリングターゲット、および、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法
OKANO SHIN (author) / NISHIMURA KAZUHIRO (author)
2022-07-14
Patent
Electronic Resource
Japanese
OXIDE SPUTTERING TARGET, AND METHOD OF PRODUCING OXIDE SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2022
Oxide sputtering target and method for producing oxide sputtering target
| European Patent Office | 2022
OXIDE SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2021
Oxide sintered body, sputtering target, and method for producing sputtering target
| European Patent Office | 2021
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| European Patent Office | 2021