A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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PIEZOELECTRIC FILM-EQUIPPED SUBSTRATE AND PIEZOELECTRIC ELEMENT
This piezoelectric film-equipped substrate and this piezoelectric element each comprise, on a substrate, a lower electrode layer, a piezoelectric film containing a perovskite type oxide including lead as the A site main component, and a buffer layer, in this order, the buffer layer containing, a metal oxide represented by MdN1-dOe. Herein, M comprises one or more metal elements that can be substituted at an A site of the perovskite type oxide, the electronegativity of same being less than 0.95, and d satisfies 0 < d < 1. When X represents the electronegativity, the relationship 1.41 X - 1.05 ≤ d ≤ A1·exp(-X/t1) + y0 is satisfied, with A1 = 1.68×1012, t1 = 0.0306, and y0 = 0.59958.
Selon l'invention, un substrat équipé d'un film piézoélectrique et un élément piézoélectrique comprennent chacun, sur un substrat, une couche d'électrode inférieure, un film piézoélectrique contenant un oxyde de type pérovskite comprenant du plomb en tant que composant principal de site A, et une couche tampon, dans cet ordre, la couche tampon contenant un oxyde métallique représenté par MdN1-dOe. Ici, M comporte un ou plusieurs éléments métalliques qui peuvent être substitués au niveau d'un site A de l'oxyde de type pérovskite, l'électronégativité de ce dernier étant inférieure à 0,95, et d satisfaisant 0 < d < 1. Lorsque X représente l'électronégativité, la relation 1,41 X - 1,05 ≤ d ≤ A1·exp(-X/t1) + y0 est satisfaite, avec A1 = 1,68×1012, t1 = 0,0306, et y0 = 0,59958.
圧電膜付き基板及び圧電素子は、基板上に、下部電極層、鉛をＡサイトの主成分として含有するペロブスカイト型酸化物を含み圧電膜、及びバッファ層をこの順に備え、バッファ層が、ＭｄＮ１－ｄＯｅで表される金属酸化物を含む。ここで、Ｍはペロブスカイト型酸化物のＡサイトに置換可能な１以上の金属元素からなり、かつ、電気陰性度が０．９５未満であり、０＜ｄ＜１であって、電気陰性度をＸとした場合、１．４１Ｘ－１．０５≦ｄ≦Ａ１・ｅｘｐ（－Ｘ／ｔ１）＋ｙ０，Ａ１＝１．６８×１０１２，ｔ１＝０．０３０６，ｙ０＝０．５９９５８である。
PIEZOELECTRIC FILM-EQUIPPED SUBSTRATE AND PIEZOELECTRIC ELEMENT
This piezoelectric film-equipped substrate and this piezoelectric element each comprise, on a substrate, a lower electrode layer, a piezoelectric film containing a perovskite type oxide including lead as the A site main component, and a buffer layer, in this order, the buffer layer containing, a metal oxide represented by MdN1-dOe. Herein, M comprises one or more metal elements that can be substituted at an A site of the perovskite type oxide, the electronegativity of same being less than 0.95, and d satisfies 0 < d < 1. When X represents the electronegativity, the relationship 1.41 X - 1.05 ≤ d ≤ A1·exp(-X/t1) + y0 is satisfied, with A1 = 1.68×1012, t1 = 0.0306, and y0 = 0.59958.
Selon l'invention, un substrat équipé d'un film piézoélectrique et un élément piézoélectrique comprennent chacun, sur un substrat, une couche d'électrode inférieure, un film piézoélectrique contenant un oxyde de type pérovskite comprenant du plomb en tant que composant principal de site A, et une couche tampon, dans cet ordre, la couche tampon contenant un oxyde métallique représenté par MdN1-dOe. Ici, M comporte un ou plusieurs éléments métalliques qui peuvent être substitués au niveau d'un site A de l'oxyde de type pérovskite, l'électronégativité de ce dernier étant inférieure à 0,95, et d satisfaisant 0 < d < 1. Lorsque X représente l'électronégativité, la relation 1,41 X - 1,05 ≤ d ≤ A1·exp(-X/t1) + y0 est satisfaite, avec A1 = 1,68×1012, t1 = 0,0306, et y0 = 0,59958.
圧電膜付き基板及び圧電素子は、基板上に、下部電極層、鉛をＡサイトの主成分として含有するペロブスカイト型酸化物を含み圧電膜、及びバッファ層をこの順に備え、バッファ層が、ＭｄＮ１－ｄＯｅで表される金属酸化物を含む。ここで、Ｍはペロブスカイト型酸化物のＡサイトに置換可能な１以上の金属元素からなり、かつ、電気陰性度が０．９５未満であり、０＜ｄ＜１であって、電気陰性度をＸとした場合、１．４１Ｘ－１．０５≦ｄ≦Ａ１・ｅｘｐ（－Ｘ／ｔ１）＋ｙ０，Ａ１＝１．６８×１０１２，ｔ１＝０．０３０６，ｙ０＝０．５９９５８である。
PIEZOELECTRIC FILM-EQUIPPED SUBSTRATE AND PIEZOELECTRIC ELEMENT
SUBSTRAT ÉQUIPÉ DE FILM PIÉZOÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE
圧電膜付き基板及び圧電素子
UMEDA KENICHI (author)
2022-02-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
PIEZOELECTRIC FILM-EQUIPPED SUBSTRATE AND PIEZOELECTRIC ELEMENT
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2022
| European Patent Office | 2024
METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC FILM, AND PIEZOELECTRIC ELEMENT
| European Patent Office | 2020
PIEZOELECTRIC SUBSTRATE, PIEZOELECTRIC ELEMENT AND LIQUID DISCHARGE HEAD
| European Patent Office | 2023