A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
A three-dimensional (3D) memory device includes a doped semiconductor layer, a stack structure, and a channel structure. The stack structure includes interleaved conductive layers and dielectric layers formed on the doped semiconductor layer. The conductive layers include a plurality of word lines, and a drain select gate line. The channel structure extends through the stack structure along a first direction and is in contact with the doped semiconductor layer. The channel structure includes a semiconductor channel, and a memory film over the semiconductor channel. The drain select gate line is in direct contact with the semiconductor channel, each of the plurality of word lines is in direct contact with the memory film, and the drain select gate line and the plurality of word lines include a same material.
L'invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnel (3D) comprenant une couche semi-conductrice dopée, une structure d'empilement et une structure de canal. La structure d'empilement comprend des couches conductrices entrelacées et des couches diélectriques formées sur la couche semi-conductrice dopée. Les couches conductrices comprennent une pluralité de lignes de mots, et une ligne de grille de sélection de drain. La structure de canal s'étend à travers la structure d'empilement le long d'une première direction et est en contact avec la couche semi-conductrice dopée. La structure de canal comprend un canal semi-conducteur, et un film de mémoire recouvrant le canal semi-conducteur. La ligne de grille de sélection de drain est en contact direct avec le canal semi-conducteur, chacune de la pluralité de lignes de mots est en contact direct avec le film de mémoire, et la ligne de grille de sélection de drain et la pluralité de lignes de mots comprennent un même matériau.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
A three-dimensional (3D) memory device includes a doped semiconductor layer, a stack structure, and a channel structure. The stack structure includes interleaved conductive layers and dielectric layers formed on the doped semiconductor layer. The conductive layers include a plurality of word lines, and a drain select gate line. The channel structure extends through the stack structure along a first direction and is in contact with the doped semiconductor layer. The channel structure includes a semiconductor channel, and a memory film over the semiconductor channel. The drain select gate line is in direct contact with the semiconductor channel, each of the plurality of word lines is in direct contact with the memory film, and the drain select gate line and the plurality of word lines include a same material.
L'invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnel (3D) comprenant une couche semi-conductrice dopée, une structure d'empilement et une structure de canal. La structure d'empilement comprend des couches conductrices entrelacées et des couches diélectriques formées sur la couche semi-conductrice dopée. Les couches conductrices comprennent une pluralité de lignes de mots, et une ligne de grille de sélection de drain. La structure de canal s'étend à travers la structure d'empilement le long d'une première direction et est en contact avec la couche semi-conductrice dopée. La structure de canal comprend un canal semi-conducteur, et un film de mémoire recouvrant le canal semi-conducteur. La ligne de grille de sélection de drain est en contact direct avec le canal semi-conducteur, chacune de la pluralité de lignes de mots est en contact direct avec le film de mémoire, et la ligne de grille de sélection de drain et la pluralité de lignes de mots comprennent un même matériau.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
YANG YUANCHENG (author) / LIU LEI (author) / ZHOU WENXI (author)
2022-12-01
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022
THREE-DIMENSIONAL NAND MEMORY DEVICE AND FORMING METHOD THEREOF
| European Patent Office | 2021
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2023