A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
This copper/ceramic bonded body (10) comprises a ceramic member (11) and copper members (12, 13) which are formed of copper or a copper alloy; the copper members (12, 13) and the ceramic member (11) are bonded with each other; at the bonding interfaces between the ceramic member (11) and the copper members (12, 13), an active metal compound layer (21) is formed on the ceramic member (11) side of each bonding interface; an active metal diffused region (23), which has an active metal concentration of 0.5% by mass or more, is formed on the ceramic member (11) side of each of the copper members (12, 13); the maximum reach distance LA of an active metal diffused region (23A) in a peripheral region (A) and the maximum reach distance LB of an active metal diffused region (23B) in a central region (B) are within the range from 20 µm to 80 µm; and the difference between the maximum reach distance LA and the maximum reach distance LB is 10 µm or less.
Ce corps lié en cuivre/céramique (10) comprend un élément en céramique (11) et des éléments en cuivre (12, 13) qui sont formés de cuivre ou d'un alliage de cuivre ; les éléments en cuivre (12, 13) et l'élément en céramique (11) sont liés les uns aux autres ; au niveau des interfaces de liaison entre l'élément en céramique (11) et les éléments en cuivre (12, 13), une couche de composé métallique actif (21) est formée sur le côté de l'élément en céramique (11) de chaque interface de liaison ; une région active de diffusion de métal (23), qui a une concentration en métal actif de 0,5 % en masse ou plus, est formée sur le côté de l'élément en céramique (11) de chaque élément en cuivre (12, 13) ; la distance maximale de portée LA d'une région active de diffusion de métal (23A) dans une région périphérique (A) et la distance maximale de portée LB d'une région active de diffusion de métal (23B) dans une région centrale (B) sont comprises dans la plage de 20 µm à 80 µm ; et la différence entre la distance maximale de portée LA et la distance maximale de portée LB est de 10 µm ou moins.
この銅／セラミックス接合体（１０）は、銅又は銅合金からなる銅部材（１２，１３）と、セラミックス部材（１１）とを有し、銅部材（１２，１３）とセラミックス部材（１１）とが接合され、セラミックス部材（１１）と銅部材（１２，１３）との接合界面において、セラミックス部材（１１）側には活性金属化合物層（２１）が形成され、銅部材（１２，１３）のうちセラミックス部材（１１）側には活性金属の濃度が０．５質量％以上である活性金属拡散領域（２３）が形成されており、周縁部領域（Ａ）における活性金属拡散領域（２３Ａ）の最大到達距離ＬＡおよび中央部領域（Ｂ）における活性金属拡散領域（２３Ｂ）の最大到達距離ＬＢが２０μｍ以上８０μｍ以下の範囲内とされ、最大到達距離ＬＡと最大到達距離ＬＢとの差が１０μｍ以下である。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
This copper/ceramic bonded body (10) comprises a ceramic member (11) and copper members (12, 13) which are formed of copper or a copper alloy; the copper members (12, 13) and the ceramic member (11) are bonded with each other; at the bonding interfaces between the ceramic member (11) and the copper members (12, 13), an active metal compound layer (21) is formed on the ceramic member (11) side of each bonding interface; an active metal diffused region (23), which has an active metal concentration of 0.5% by mass or more, is formed on the ceramic member (11) side of each of the copper members (12, 13); the maximum reach distance LA of an active metal diffused region (23A) in a peripheral region (A) and the maximum reach distance LB of an active metal diffused region (23B) in a central region (B) are within the range from 20 µm to 80 µm; and the difference between the maximum reach distance LA and the maximum reach distance LB is 10 µm or less.
Ce corps lié en cuivre/céramique (10) comprend un élément en céramique (11) et des éléments en cuivre (12, 13) qui sont formés de cuivre ou d'un alliage de cuivre ; les éléments en cuivre (12, 13) et l'élément en céramique (11) sont liés les uns aux autres ; au niveau des interfaces de liaison entre l'élément en céramique (11) et les éléments en cuivre (12, 13), une couche de composé métallique actif (21) est formée sur le côté de l'élément en céramique (11) de chaque interface de liaison ; une région active de diffusion de métal (23), qui a une concentration en métal actif de 0,5 % en masse ou plus, est formée sur le côté de l'élément en céramique (11) de chaque élément en cuivre (12, 13) ; la distance maximale de portée LA d'une région active de diffusion de métal (23A) dans une région périphérique (A) et la distance maximale de portée LB d'une région active de diffusion de métal (23B) dans une région centrale (B) sont comprises dans la plage de 20 µm à 80 µm ; et la différence entre la distance maximale de portée LA et la distance maximale de portée LB est de 10 µm ou moins.
この銅／セラミックス接合体（１０）は、銅又は銅合金からなる銅部材（１２，１３）と、セラミックス部材（１１）とを有し、銅部材（１２，１３）とセラミックス部材（１１）とが接合され、セラミックス部材（１１）と銅部材（１２，１３）との接合界面において、セラミックス部材（１１）側には活性金属化合物層（２１）が形成され、銅部材（１２，１３）のうちセラミックス部材（１１）側には活性金属の濃度が０．５質量％以上である活性金属拡散領域（２３）が形成されており、周縁部領域（Ａ）における活性金属拡散領域（２３Ａ）の最大到達距離ＬＡおよび中央部領域（Ｂ）における活性金属拡散領域（２３Ｂ）の最大到達距離ＬＢが２０μｍ以上８０μｍ以下の範囲内とされ、最大到達距離ＬＡと最大到達距離ＬＢとの差が１０μｍ以下である。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
CORPS LIÉ EN CUIVRE/CÉRAMIQUE ET CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE
銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板
TERASAKI NOBUYUKI (author)
2023-01-19
Patent
Electronic Resource
Japanese