A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
Provided is a copper/ceramic bonded body (10, 110) in which a copper member (12, 13, 112, 113) made from copper or a copper alloy is bonded to a ceramic member (11, 111), in which an active metal compound layer (31) containing a compound of at least one active metal selected from Ti, Zr, Nb and Hf or a magnesium oxide layer (131) is formed on a copper member-side region in the ceramic member (11, 111), and a transition metal layer (34, 134) containing at least one transition metal selected from V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Mo, Ta and W is formed at the copper member-side interface of the active metal compound layer (31) or the magnesium oxide layer (131).
Corps lié en cuivre/céramique (10, 110) dans lequel un élément en cuivre (12,13 112, 113) fabriqué à partir de cuivre ou d'un alliage de cuivre est lié à un élément en céramique (11, 111), dans lequel une couche d'un composé métallique actif (31) contenant un composé d'au moins un métal actif choisi parmi Ti, Zr, Nb et Hf ou une couche d'oxyde de magnésium (131) est formée sur une région côté élément en cuivre dans l'élément en céramique (11, 111), et une couche de métal de transition (34, 134) contenant au moins un métal de transition choisi parmi V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Mo, Ta et W est formée au niveau de l'interface côté élément en cuivre de la couche de composé métallique actif (31) ou de la couche d'oxyde de magnésium (131).
銅又は銅合金からなる銅部材（１２、１３、１１２、１１３）と、セラミックス部材（１１、１１１）とが接合されてなる銅／セラミックス接合体（１０、１１０）であって、前記セラミックス部材（１１、１１１）のうち前記銅部材側の領域には、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される一種又は二種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層（３１）、または、酸化マグネシウム層（１３１）、が形成されており、前記活性金属化合物層（３１）または前記酸化マグネシウム層（１３１）の前記銅部材側の界面には、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択される一種又は二種以上の遷移金属を含む遷移金属層（３４、１３４）が形成されている。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
Provided is a copper/ceramic bonded body (10, 110) in which a copper member (12, 13, 112, 113) made from copper or a copper alloy is bonded to a ceramic member (11, 111), in which an active metal compound layer (31) containing a compound of at least one active metal selected from Ti, Zr, Nb and Hf or a magnesium oxide layer (131) is formed on a copper member-side region in the ceramic member (11, 111), and a transition metal layer (34, 134) containing at least one transition metal selected from V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Mo, Ta and W is formed at the copper member-side interface of the active metal compound layer (31) or the magnesium oxide layer (131).
Corps lié en cuivre/céramique (10, 110) dans lequel un élément en cuivre (12,13 112, 113) fabriqué à partir de cuivre ou d'un alliage de cuivre est lié à un élément en céramique (11, 111), dans lequel une couche d'un composé métallique actif (31) contenant un composé d'au moins un métal actif choisi parmi Ti, Zr, Nb et Hf ou une couche d'oxyde de magnésium (131) est formée sur une région côté élément en cuivre dans l'élément en céramique (11, 111), et une couche de métal de transition (34, 134) contenant au moins un métal de transition choisi parmi V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Mo, Ta et W est formée au niveau de l'interface côté élément en cuivre de la couche de composé métallique actif (31) ou de la couche d'oxyde de magnésium (131).
銅又は銅合金からなる銅部材（１２、１３、１１２、１１３）と、セラミックス部材（１１、１１１）とが接合されてなる銅／セラミックス接合体（１０、１１０）であって、前記セラミックス部材（１１、１１１）のうち前記銅部材側の領域には、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される一種又は二種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層（３１）、または、酸化マグネシウム層（１３１）、が形成されており、前記活性金属化合物層（３１）または前記酸化マグネシウム層（１３１）の前記銅部材側の界面には、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択される一種又は二種以上の遷移金属を含む遷移金属層（３４、１３４）が形成されている。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
CORPS LIÉ EN CUIVRE/CÉRAMIQUE ET CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉ
銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板
TERASAKI NOBUYUKI (author)
2024-03-14
Patent
Electronic Resource
Japanese