A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
OXIDE TARGET AND PREPARATION METHOD THEREFOR
The present invention relates to the technical field of semiconductor materials, and in particular to an oxide target and a preparation method therefor. The oxide target comprises an oxide of an element A, an oxide of an element B, an oxide of an element R, and an oxide of an element M. The element A is indium; the element B is one or a combination of two or more of gallium, zinc, and tin; the element R is one or a combination of two or more of cerium, praseodymium, ytterbium, dysprosium, and terbium; and the element M is one or a combination of two or more of scandium, silicon, titanium, tantalum, germanium, and antimony. According to the present invention, by introducing the oxide of M into the oxide target, the grain size of the oxide target is refined, so that the oxide target has high density, uniform element distribution, and a uniform microstructure. In addition, the preparation method provided by the present invention can achieve the purpose of controlling the crystal phase structure of the oxide target, so that the oxide target has a small grain size and a uniform microstructure.
La présente invention concerne le domaine technique des matériaux à semi-conducteurs, et en particulier une cible à base d'oxyde et un procédé de préparation associé. La cible à base d'oxyde comprend un oxyde d'un élément A, un oxyde d'un élément B, un oxyde d'un élément R, et un oxyde d'un élément M. L'élément A est de l'indium ; l'élément B est un élément ou une combinaison d'au moins deux éléments parmi le gallium, le zinc et l'étain ; l'élément R est un élément ou une combinaison d'au moins deux éléments parmi le cérium, le praséodyme, l'ytterbium, le dysprosium et le terbium ; et l'élément M est un élément ou une combinaison d'au moins deux éléments parmi le scandium, le silicium, le titane, le tantale, le germanium et l'antimoine. Selon la présente invention, en introduisant l'oxyde de M dans la cible à base d'oxyde, la granulométrie de la cible à base d'oxyde est affinée, de sorte que la cible à base d'oxyde a une densité élevée, une distribution d'éléments uniforme et une microstructure uniforme. De plus, le procédé de préparation selon la présente invention peut atteindre l'objectif de commander la structure de phase cristalline de la cible à base d'oxyde, de sorte que la cible à base d'oxyde a une granulométrie faible et une microstructure uniforme.
本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种氧化物靶材及其制备方法。所述氧化物靶材包括元素A的氧化物、元素B的氧化物、元素R的氧化物和元素M的氧化物；所述元素A为铟；所述元素B为镓、锌、锡中的一种或两种以上的组合；所述元素R为铈、镨、镱、镝、铽中的一种或两种以上的组合；所述元素M为钪，硅，钛，钽，锗，锑的一种或两种以上组合。本发明通过在氧化物靶材中引入M的氧化物，细化了氧化物靶材的晶粒尺寸，使氧化物靶材致密度高，元素分布与微观结构均匀。此外，本发明提供的制备方法可以实现控制氧化物靶材晶相结构的目的，使氧化物靶材具有较小的晶粒尺寸且微观结构均匀。
OXIDE TARGET AND PREPARATION METHOD THEREFOR
The present invention relates to the technical field of semiconductor materials, and in particular to an oxide target and a preparation method therefor. The oxide target comprises an oxide of an element A, an oxide of an element B, an oxide of an element R, and an oxide of an element M. The element A is indium; the element B is one or a combination of two or more of gallium, zinc, and tin; the element R is one or a combination of two or more of cerium, praseodymium, ytterbium, dysprosium, and terbium; and the element M is one or a combination of two or more of scandium, silicon, titanium, tantalum, germanium, and antimony. According to the present invention, by introducing the oxide of M into the oxide target, the grain size of the oxide target is refined, so that the oxide target has high density, uniform element distribution, and a uniform microstructure. In addition, the preparation method provided by the present invention can achieve the purpose of controlling the crystal phase structure of the oxide target, so that the oxide target has a small grain size and a uniform microstructure.
La présente invention concerne le domaine technique des matériaux à semi-conducteurs, et en particulier une cible à base d'oxyde et un procédé de préparation associé. La cible à base d'oxyde comprend un oxyde d'un élément A, un oxyde d'un élément B, un oxyde d'un élément R, et un oxyde d'un élément M. L'élément A est de l'indium ; l'élément B est un élément ou une combinaison d'au moins deux éléments parmi le gallium, le zinc et l'étain ; l'élément R est un élément ou une combinaison d'au moins deux éléments parmi le cérium, le praséodyme, l'ytterbium, le dysprosium et le terbium ; et l'élément M est un élément ou une combinaison d'au moins deux éléments parmi le scandium, le silicium, le titane, le tantale, le germanium et l'antimoine. Selon la présente invention, en introduisant l'oxyde de M dans la cible à base d'oxyde, la granulométrie de la cible à base d'oxyde est affinée, de sorte que la cible à base d'oxyde a une densité élevée, une distribution d'éléments uniforme et une microstructure uniforme. De plus, le procédé de préparation selon la présente invention peut atteindre l'objectif de commander la structure de phase cristalline de la cible à base d'oxyde, de sorte que la cible à base d'oxyde a une granulométrie faible et une microstructure uniforme.
本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种氧化物靶材及其制备方法。所述氧化物靶材包括元素A的氧化物、元素B的氧化物、元素R的氧化物和元素M的氧化物；所述元素A为铟；所述元素B为镓、锌、锡中的一种或两种以上的组合；所述元素R为铈、镨、镱、镝、铽中的一种或两种以上的组合；所述元素M为钪，硅，钛，钽，锗，锑的一种或两种以上组合。本发明通过在氧化物靶材中引入M的氧化物，细化了氧化物靶材的晶粒尺寸，使氧化物靶材致密度高，元素分布与微观结构均匀。此外，本发明提供的制备方法可以实现控制氧化物靶材晶相结构的目的，使氧化物靶材具有较小的晶粒尺寸且微观结构均匀。
OXIDE TARGET AND PREPARATION METHOD THEREFOR
CIBLE À BASE D'OXYDE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
一种氧化物靶材及其制备方法
XU MIAO (author) / XU HUA (author) / LI MIN (author) / TAO HONG (author) / ZOU JIANHUA (author) / WANG LEI (author) / PENG JUNBIAO (author)
2024-06-20
Patent
Electronic Resource
Chinese
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2015
| European Patent Office | 2020