A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE FILM
The present invention addresses the problem of providing an oxide film having good processability by etching and excellent weatherability (small change in transmittance) and having light-absorbing ability suitable for preventing light reflection. The oxide film comprises molybdenum (Mo), niobium (Nb), zinc (Zn), and oxygen (O), has an etching rate of 1 nm/sec or higher, has a change of average transmittance in the visible light region (wavelengths: 400-700 nm) of 15% or less through a constant-temperature, constant-humidity test, and has an average reflectance of incident light in the visible light region (wavelengths: 400-700 nm) of 15% or less.
La présente invention aborde le problème de la fourniture d'un film d'oxyde ayant une bonne aptitude au traitement par gravure et une excellente résistance aux intempéries (faible changement de transmittance), et ayant une capacité d'absorption de lumière appropriée pour empêcher une réflexion de lumière. Le film d'oxyde comprend du molybdène (Mo), du niobium (Nb), du zinc (Zn) et de l'oxygène (O), présente une vitesse de gravure de 1 nm/s ou plus, présente un changement de transmittance moyenne dans la région de lumière visible (longueurs d'onde : de 400 à 700 nm) de 15 % ou moins par l'intermédiaire d'un test à température constante et à humidité constante, et présente une réflectance moyenne de la lumière incidente dans la région de lumière visible (longueurs d'onde : de 400 à 700 nm) de 15 % ou moins.
本発明は、エッチングによる良好な加工性、優れた耐候性（透過率の変化率が小さい）を備え、光の反射を防止するのに適した光吸収能を備えた酸化物膜を課題とする。モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）を含有し、エッチングレートが１ｎｍ／秒以上であり、恒温恒湿試験前後の可視光域（波長：４００～７００ｎｍ）の平均透過率の変化率が１５％以内であり、可視光域（波長：４００～７００ｎｍ）の入射光に対する平均反射率が１５％以下である酸化物膜。
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE FILM
The present invention addresses the problem of providing an oxide film having good processability by etching and excellent weatherability (small change in transmittance) and having light-absorbing ability suitable for preventing light reflection. The oxide film comprises molybdenum (Mo), niobium (Nb), zinc (Zn), and oxygen (O), has an etching rate of 1 nm/sec or higher, has a change of average transmittance in the visible light region (wavelengths: 400-700 nm) of 15% or less through a constant-temperature, constant-humidity test, and has an average reflectance of incident light in the visible light region (wavelengths: 400-700 nm) of 15% or less.
La présente invention aborde le problème de la fourniture d'un film d'oxyde ayant une bonne aptitude au traitement par gravure et une excellente résistance aux intempéries (faible changement de transmittance), et ayant une capacité d'absorption de lumière appropriée pour empêcher une réflexion de lumière. Le film d'oxyde comprend du molybdène (Mo), du niobium (Nb), du zinc (Zn) et de l'oxygène (O), présente une vitesse de gravure de 1 nm/s ou plus, présente un changement de transmittance moyenne dans la région de lumière visible (longueurs d'onde : de 400 à 700 nm) de 15 % ou moins par l'intermédiaire d'un test à température constante et à humidité constante, et présente une réflectance moyenne de la lumière incidente dans la région de lumière visible (longueurs d'onde : de 400 à 700 nm) de 15 % ou moins.
本発明は、エッチングによる良好な加工性、優れた耐候性（透過率の変化率が小さい）を備え、光の反射を防止するのに適した光吸収能を備えた酸化物膜を課題とする。モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）を含有し、エッチングレートが１ｎｍ／秒以上であり、恒温恒湿試験前後の可視光域（波長：４００～７００ｎｍ）の平均透過率の変化率が１５％以内であり、可視光域（波長：４００～７００ｎｍ）の入射光に対する平均反射率が１５％以下である酸化物膜。
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE FILM
CIBLE DE PULVÉRISATION D'OXYDE ET FILM D'OXYDE
酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物膜
MUNEYASU KEI (author) / NARA ATSUSHI (author) / OTOMO DAIKI (author)
2024-10-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2017
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM USING SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2015
| European Patent Office | 2020