Characterization of Ni/Ge/Au/Ni/Au contact metallization on AlGaAs/InGaAs heterostructures for pseudomorphic heterojunction field effect transistor application: Fid-Bau Portal

Characterization of Ni/Ge/Au/Ni/Au contact metallization on AlGaAs/InGaAs heterostructures for pseudomorphic heterojunction field effect transistor application

Lee, H. J. / Tse, M. S. / Radhakrishnan, K. / Prasad, K. / Weng, J. / Yoon, S. F. / Tan, H. S. / Zhou, X.

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Characterization of Ni/Ge/Au/Ni/Au contact metallization on AlGaAs/InGaAs heterostructures for pseudomorphic heterojunction field effect transistor application

Lee, H. J. / Tse, M. S. / Radhakrishnan, K. / Prasad, K. / Weng, J. / Yoon, S. F. / Tan, H. S. / Zhou, X.

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Lee, H. J. / Tse, M. S. / Radhakrishnan, K. / Prasad, K. / Weng, J. / Yoon, S. F. / Tan, H. S. / Zhou, X.

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Characterization of Ni/Ge/Au/Ni/Au contact metallization on AlGaAs/InGaAs heterostructures for pseudomorphic heterojunction field effect transistor application

Beteiligte:

Lee, H. J. (Autor:in) / Tse, M. S. (Autor:in) / Radhakrishnan, K. (Autor:in) / Prasad, K. (Autor:in) / Weng, J. (Autor:in) / Yoon, S. F. (Autor:in) / Tan, H. S. (Autor:in) / Zhou, X. (Autor:in) / Henini, M. / Szweda, R.