Vertical 100 nm Si-p channel JFET grown by selective epitaxy: Fid-Bau Portal

Vertical 100 nm Si-p channel JFET grown by selective epitaxy

Langen, W. / Vescan, L. / Loo, R. / Lueth, H. / Kordos, P.

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Titel:

Vertical 100 nm Si-p channel JFET grown by selective epitaxy

Beteiligte:

Langen, W. (Autor:in) / Vescan, L. (Autor:in) / Loo, R. (Autor:in) / Lueth, H. (Autor:in) / Kordos, P. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 102 ; 252-254

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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