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Impact of nitrogen concentration profile in silicon oxynitride films on stress-induced leakage current

Arakawa, T. / Matsumoto, R.

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Titel:

Impact of nitrogen concentration profile in silicon oxynitride films on stress-induced leakage current

Beteiligte:

Arakawa, T. (Autor:in) / Matsumoto, R. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 113/114 ; 605-609

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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