Damage annealing and dopant activation in Al ion implanted �-SiC: Fid-Bau Portal

Damage annealing and dopant activation in Al ion implanted -SiC

Canut, B. / Ramos, S. / Roger, J.-A. / Chante, J.-P. / Locatelli, M.-L. / Planson, D.

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Titel:

Damage annealing and dopant activation in Al ion implanted -SiC

Beteiligte:

Canut, B. (Autor:in) / Ramos, S. (Autor:in) / Roger, J.-A. (Autor:in) / Chante, J.-P. (Autor:in) / Locatelli, M.-L. (Autor:in) / Planson, D. (Autor:in) / Camassel, J. / Fricke, K. / Krozer, V. / Robert, J. L.

Erschienen in:

High Temperature Electronics: Materials, Devices and Applications ; 267-270

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 46

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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