A new process to manufacture thin SiGe and SiGeC epitaxial films on silicon by ion implantation and excimer laser annealing: Fid-Bau Portal

A new process to manufacture thin SiGe and SiGeC epitaxial films on silicon by ion implantation and excimer laser annealing

Boher, P. / Stehle, J. L. / Fogarassy, E.

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Titel:

A new process to manufacture thin SiGe and SiGeC epitaxial films on silicon by ion implantation and excimer laser annealing

Beteiligte:

Boher, P. (Autor:in) / Stehle, J. L. (Autor:in) / Fogarassy, E. (Autor:in) / Boyd, I. W. / Perriere, J. / Stuke, M.

Erschienen in:

Proceedings of Symposium G on Surface Processing: Laser, Lamp, Plasma of the 1998 E-MRS Spring Conference - Strasbourg, France, June 16-1998 ; 199-205

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 138/139

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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