Atomic transport properties and electrical activation of ultra-low energy implanted boron in crystalline silicon: Fid-Bau Portal

Atomic transport properties and electrical activation of ultra-low energy implanted boron in crystalline silicon

Privitera, V. / Napolitani, E. / Priolo, F. / Moffatt, S. / La Magna, A. / Mannino, G. / Carnera, A. / Picariello, A.

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Titel:

Atomic transport properties and electrical activation of ultra-low energy implanted boron in crystalline silicon

Beteiligte:

Privitera, V. (Autor:in) / Napolitani, E. (Autor:in) / Priolo, F. (Autor:in) / Moffatt, S. (Autor:in) / La Magna, A. (Autor:in) / Mannino, G. (Autor:in) / Carnera, A. (Autor:in) / Picariello, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 2 ; 35-44

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

10 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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