Depth profiling of defects in nitrogen implanted silicon using a slow positron beam: Fid-Bau Portal

Depth profiling of defects in nitrogen implanted silicon using a slow positron beam

Taylor, J.W. / Saleh, A.S. / Rice-Evans, P.C. / Knights, A.P. / Jeynes, C.

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Titel:

Depth profiling of defects in nitrogen implanted silicon using a slow positron beam

Beteiligte:

Taylor, J.W. (Autor:in) / Saleh, A.S. (Autor:in) / Rice-Evans, P.C. (Autor:in) / Knights, A.P. (Autor:in) / Jeynes, C. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 149 ; 175-180

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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