Comparative analysis and study of ionized metal plasma (IMP)-Cu and chemical vapor deposition (CVD)-Cu on diffusion barrier properties of IMP-TaN on SiO2: Fid-Bau Portal

Comparative analysis and study of ionized metal plasma (IMP)-Cu and chemical vapor deposition (CVD)-Cu on diffusion barrier properties of IMP-TaN on SiO2

Lee, Y. K. / Latt, K. M. / JaeHyung, K. / Osipowicz, T. / Sher-Yi, C. / Lee, K.

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Titel:

Comparative analysis and study of ionized metal plasma (IMP)-Cu and chemical vapor deposition (CVD)-Cu on diffusion barrier properties of IMP-TaN on SiO2

Beteiligte:

Lee, Y. K. (Autor:in) / Latt, K. M. (Autor:in) / JaeHyung, K. (Autor:in) / Osipowicz, T. (Autor:in) / Sher-Yi, C. (Autor:in) / Lee, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 77 ; 282 - 287

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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