Epitaxial Si1-x Gex grown into fine contact hole by ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition: Fid-Bau Portal

Epitaxial Si1-x Gex grown into fine contact hole by ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition

Nakahata, T. / Sugihara, K. / Furukawa, T. / Yamakawa, S. / Maruno, S. / Tokuda, Y. / Yamamoto, K. / Inagaki, T. / Kiyama, H.

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Titel:

Epitaxial Si1-x Gex grown into fine contact hole by ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition

Beteiligte:

Nakahata, T. (Autor:in) / Sugihara, K. (Autor:in) / Furukawa, T. (Autor:in) / Yamakawa, S. (Autor:in) / Maruno, S. (Autor:in) / Tokuda, Y. (Autor:in) / Yamamoto, K. (Autor:in) / Inagaki, T. (Autor:in) / Kiyama, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 68 ; 171 - 174

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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