Photoluminescence characterization of defects created in electron-irradiated silicon at elevated temperatures: Fid-Bau Portal

Photoluminescence characterization of defects created in electron-irradiated silicon at elevated temperatures

Buyanova, I. A. / Monemar, B. / Lindstrom, J. L. / Hallberg, T. / Murin, L. I. / Markevich, V. P.

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Titel:

Photoluminescence characterization of defects created in electron-irradiated silicon at elevated temperatures

Beteiligte:

Buyanova, I. A. (Autor:in) / Monemar, B. (Autor:in) / Lindstrom, J. L. (Autor:in) / Hallberg, T. (Autor:in) / Murin, L. I. (Autor:in) / Markevich, V. P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 72 ; 146 - 149

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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