Electrical characterization of Schottky diodes fabricated on SiC epitaxial layers grown on porous SiC substrates: Fid-Bau Portal

Electrical characterization of Schottky diodes fabricated on SiC epitaxial layers grown on porous SiC substrates

Kuznetsov, N. I. / Mynbaeva, M. G. / Melnychuk, G. / Dmitriev, V. A. / Saddow, S. E.

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Titel:

Electrical characterization of Schottky diodes fabricated on SiC epitaxial layers grown on porous SiC substrates

Beteiligte:

Kuznetsov, N. I. (Autor:in) / Mynbaeva, M. G. (Autor:in) / Melnychuk, G. (Autor:in) / Dmitriev, V. A. (Autor:in) / Saddow, S. E. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 184 ; 483-486

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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